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资料编号:620346
资料名称:
SPD09P06PL
文件大小: 230.78K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Power-Transistor
: 点此下载
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2001-07-02
页 7
SPD09P06PL
SPU09P06PL
最终 数据
13 典型值 avalanche 活力
E
作
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= -9.7 一个 ,
V
DD
= -25 v,
R
GS
= 25
25
45
65
85
105
125
145
°C
185
T
j
0
10
20
30
40
50
60
mJ
80
E
作
14 典型值 门 承担
V
GS
=
f
(
Q
门
)
参数:
I
D
= -9.7 一个 搏动
0
4
8
12
16
20
nC
28
Q
门
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
V
-16
SPD09P06PL
V
GS
0,8
V
ds 最大值
ds 最大值
V
0,2
15 流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
f
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
140
°C
200
T
j
-54
-56
-58
-60
-62
-64
-66
-68
V
-72
SPD09P06PL
V
(br)dss
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