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半导体 组 10 / 19982
SPD02N60
SPU02N60
初步的 数据
电的 特性
参数
ValuesSymbol 单位
在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
最大值.典型值.最小值.
热的 特性
-  k/wthermal 阻抗, 接合面 - 情况
R
thJC
2.25
- 100 -
R
thJA
热的 阻抗, 接合面 - 包围的
-
-
smd 版本, 设备 在 pcb:
@ 最小值 footprint
@ 6 cm
2
冷却 范围
1)
50
tbd
-
-
R
thJA
静态的 特性
V
(br)dss
600 - -流- 源 损坏 电压
V
GS
= 0 v,
I
D
= 0.25 毫安
V
门 门槛 电压,
V
GS
=
V
DS
I
D
= 1 毫安
V
gs(th)
32.1 4
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 600 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 25 °c
V
DS
= 600 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 150 °c
I
DSS
0.1
-
1
100
-
-
µA
I
GSS
门-源 泄漏 电流
V
GS
= 20 v,
V
DS
= 0 v
- nA10010
R
ds(在)
- 4.2 5.5
Ω
流-源 在-状态 阻抗
V
GS
= 10 v,
I
D
= 1.3 一个
1
设备 在 50mm*50mm*1.5mm 环氧的 pcb fr4 和 6 平方厘米 (一个 layer, 70µm 厚) 铜 范围 为 流
连接. pcb 是 vertical 没有 blown 空气.

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半导体组 10 / 19982 SPD02N60 SPU02N60 初步的数据电的特性参数 ValuesSymbol 单位在 T j = 25 °c, 除非否则指定最大值.典型值.最小值. 热的特性 - k/wthermal 阻抗, 接合面 - 情况 R thJC 2.25 - 100 - R thJA 热的阻抗, 接合面 - 包围的 - - smd 版本, 设备在 pcb: @ 最小值 footprint @ 6 cm 2 冷却范围 1) 50 tbd - - R thJA 静态的特性 V (br)dss 600 - -流- 源损坏电压 V GS = 0 v, I D = 0.25 毫安 V 门门槛电压, V GS = V DS I D = 1 毫安 V gs(th) 32.1 4 零门电压流电流 V DS = 600 v, V GS = 0 v, T j = 25 °c V DS = 600 v, V GS = 0 v, T j = 150 °c I DSS 0.1 - 1 100 - - µA I GSS 门-源泄漏电流 V GS = 20 v, V DS = 0 v - nA10010 R ds(在) - 4.2 5.5 Ω 流-源在-状态阻抗 V GS = 10 v, I D = 1.3 一个 1 设备在 50mm50mm1.5mm 环氧的 pcb fr4 和 6 平方厘米 (一个 layer, 70µm 厚) 铜范围为流连接. pcb 是 vertical 没有 blown 空气.

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