SPD02N60_集成电路资料查询网

半导体 组 10 / 19983
SPD02N60
SPU02N60
初步的 数据
电的 特性
参数 标识 UnitValues
在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
最小值 最大值.典型值.
动态 特性
-1 s1.8
跨导
V
DS
≥
2*
I
D
*
R
ds(在)最大值
,
I
D
= 1.3 一个
g
fs
460 pF350
输入 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
-
C
iss
60
输出 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
oss
40-
15 22-
C
rss
反转 转移 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
10 15
t
d(在)
-
转变-在 延迟 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 10 v,
I
D
= 1.5 一个,
R
G
= 50
Ω
ns
4025
t
r
-
上升 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 10 v,
I
D
= 1.5 一个,
R
G
= 50
Ω
50
转变-止 延迟 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 10 v,
I
D
= 1.5 一个,
R
G
= 50
Ω
t
d(止)
35-
35
下降 时间
V
DD
= 30 v,
V
GS
= 10 v,
I
D
= 1.5 一个,
R
G
= 50
Ω
-
t
f
25

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

半导体组 10 / 19983 SPD02N60 SPU02N60 初步的数据电的特性参数标识 UnitValues 在 T j = 25 °c, 除非否则指定最小值最大值.典型值. 动态特性 -1 s1.8 跨导 V DS ≥ 2* I D * R ds(在)最大值 , I D = 1.3 一个 g fs 460 pF350 输入电容 V GS = 0 v, V DS = 25 v, f = 1 mhz - C iss 60 输出电容 V GS = 0 v, V DS = 25 v, f = 1 mhz C oss 40- 15 22- C rss 反转转移电容 V GS = 0 v, V DS = 25 v, f = 1 mhz 10 15 t d(在) - 转变-在延迟时间 V DD = 30 v, V GS = 10 v, I D = 1.5 一个, R G = 50 Ω ns 4025 t r - 上升时间 V DD = 30 v, V GS = 10 v, I D = 1.5 一个, R G = 50 Ω 50 转变-止延迟时间 V DD = 30 v, V GS = 10 v, I D = 1.5 一个, R G = 50 Ω t d(止) 35- 35 下降时间 V DD = 30 v, V GS = 10 v, I D = 1.5 一个, R G = 50 Ω - t f 25

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com