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资料编号：620973
 
资料名称：SPU02N60S5
 
文件大小： 251.9K
   
说明：
 
介绍:
Cool MOS⑩ Power Transistor
 
 


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2004-03-30rev. 2.1
页 7
SPU02N60S5
SPD02N60S5
9 avalanche 活力
E
作
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 1.35 一个,
V
DD
= 50 v
20 40 60 80 100 120
°C
160
T
j
0
10
20
30
mJ
50
E
作
10 流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
f
(
T
j
)
-60 -20 20 60 100
°C
180
T
j
540
560
580
600
620
640
660
680
V
720
SPU02N60S5
V
(br)dss
11 典型值 capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
参数:
V
GS
=0v,
f
=1 mhz
0 10 20 30 40 50 60 70 80
V
100
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
pF
C
C
iss
C
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C
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