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资料编号:621000
 
资料名称:SPW20N60C3
 
文件大小: 258.86K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS™ Power Transistor
 
 


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2003-09-17
页 6
SPW20N60C3
最终 数据
5 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=150°C
参数:
t
p
= 10 µs,
V
GS
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
V
25
V
DS
0
5
10
15
20
25
30
35
一个
45
I
D
4.5v
5V
5.5v
6V
20V
10V
7V
6 典型值 流-源 在 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
T
j
=150°c,
V
GS
0 5 10 15 20 25 30
一个
40
I
D
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.5
R
ds(在)
4V
4.5v
5V
5.5v
6V
6.5v
20V
7 流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
T
j
)
参数 :
I
D
= 13.1 一个,
V
GS
= 10 v
-60 -20 20 60 100
°C
180
T
j
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.1
SPW20N60C3
R
ds(在)
典型值
98%
8 典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 10 µs
0 1 2 3 4 5 6 7
V
9
V
GS
0
10
20
30
40
50
60
一个
80
I
D
150°C
25°C
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