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资料编号:623537
 
资料名称:SSM3K14T
 
文件大小: 184.94K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
SSM3K14T
2002-01-24
2
电的 特性
(ta

25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
门 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
16 v, v
DS
0
1
一个
V
(br) dss
I
D
1 毫安, v
GS
0 30
流-源 损坏 电压
V
(br) dsx
I
D
1 毫安, v
GS
20 v 15
 
V
流 截-止 电流 I
DSS
V
DS
30 v, v
GS
0
1
一个
门 门槛 电压 V
th
V
DS
5 v, i
D
0.1 毫安 1.0
2.5 V
向前 转移 admittance |Y
fs
| v
DS
5 v, i
D
2 一个 (便条 3) 3.2 6.4
S
I
D
2 一个, v
GS
10 v (便条 3)
31 39
I
D
2 一个, v
GS
4.5 v (便条 3)

45 57
流-源 在 阻抗 R
ds (在)
I
D
2 一个, v
GS
4.0 v (便条 3)
50 67
m
总的 门 承担 Qg V
DD
24 v, i
D
4 一个, v
GS
4 v

5.0
nC
输入 电容 C
iss
V
DS
15 v, v
GS
0, f
1 mhz
460
pF
反转 转移 电容 C
rss
V
DS
15 v, v
GS
0, f
1 mhz
62
pF
输出 电容 C
oss
V
DS
15 v, v
GS
0, f
1 mhz
106
pF
上升 时间 t
r
15
转变-在 时间 t

24

下降 时间 t
f

6

切换 时间
转变-止 时间 t
V
DD
15 v, i
D
2 一个
V
GS
0~4 v, r
G
10
19
ns
便条 3: 脉冲波 测试
切换 时间 测试 电路
Precaution
V
th
能 是 表示 作 电压 在 门 和 源 当 低 运行 电流 值 是 i
D
1
00
一个 for
这个 产品. 为 正常的 切换 运作, v
gs (在)
需要 高等级的 电压 比 v
th
和 v
gs (止)
需要
更小的 电压 比 v
th
.
(relationship 能 是 established 作 跟随: v
gs (止)
V
th
V
gs (在)
)
请 引领 这个 在 仔细考虑 为 使用 这 设备.
V
GS
推荐 电压 的 4 v 或者 高等级的 至 转变 在 这个 产品.
(一个) 测试 电路
4 v
0
I
D
输出
V
DD
10
s
R
G
R
L
V
DD
15 v
R
G
10
d.u.
1%
V
: t
r
, t
f
5 ns
一般 源
Ta
25°C
t
t
(b)V
(c)V
输出
4 v
0
V
DD
V
ds (在)
t
r
t
f
10%
90%
90%
10%
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