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资料编号:623540
 
资料名称:SSM3J01T
 
文件大小: 169.82K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
 
 


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SSM3J01T
2002-01-16
2
电的 特性
(ta

25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
门 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
10 v, v
DS
0
1
一个
流-源 损坏 电压 V
(br) dss
I
D
1 毫安, v
GS
0
30
V
流 截-止 电流 I
DSS
V
DS
30 v, v
GS
0
1
一个
门 门槛 电压 V
th
V
DS
3 v, i
D
0.1 毫安
0.6
1.1 V
向前 转移 admittance |Y
fs
| v
DS
3 v, i
D
0.85 一个 (note3) 1.2 2.3
S
流-源 在 阻抗 R
ds (在)
I
D
0.85 一个, v
GS
4 v (note3)
0.3 0.4
流-源 在 阻抗 R
ds (在)
I
D
0.85 一个, v
GS
2.5 v (note3)
0.4 0.6
输入 电容 C
iss
V
DS
10 v, v
GS
0, f
1 mhz
240
pF
反转 转移 电容 C
rss
V
DS
10 v, v
GS
0, f
1 mhz
24
pF
输出 电容 C
oss
V
DS
10 v, v
GS
0, f
1 mhz
94
pF
转变-在 时间 t

36

切换 时间
转变-止 时间 t
V
DD
15 v, i
D
0.3 一个
V
GS
0~
2.5 v, r
G
4.7

37

ns
note3: 脉冲波 测试
切换 时间 测试 电路
Precaution
V
th
能 是 表示 作 电压 在 门 和 源 当 低 运行 电流 值 是 i
D
1
00
一个 for
这个 产品. 为 正常的 切换 运作, v
gs (在)
需要 高等级的 电压 比 v
th
和 v
gs (止)
需要 更小的
电压 比 v
th
.
(relationship 能 是 established 作 跟随: v
gs (止)
V
th
V
gs (在)
)
请 引领 这个 在 仔细考虑 为 使用 这 设备.
V
GS
推荐 电压 的
2.5 v 或者 高等级的 至 转变 在 这个 产品.
t
t
0 v
2.5 v
V
DD
V
ds (在)
t
r
t
f
10%
90%
90%
10%
(b)V
V
GS
(c)V
输出
V
DS
V
DD
15 v
R
G
4.7
d.u.
1%
V
: t
r
, t
f
5 ns
一般 源
Ta
25°C
0
2.5
V
输出
V
DD
10
S
R
G
(一个) 测试 电路
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