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资料编号：623540
 
资料名称：SSM3J01T
 
文件大小： 169.82K
   
说明：
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type
 
 


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SSM3J01T
2002-01-16
3
I
D
– v
DS
I
D
– v
GS
R
ds (在)
– i
D
R
ds (在)
– ta
c – v
DS
25°C
10000
0.01
0
一般 源
V
DS
3 v
100
1000
1
10
0.1
1.5
2
0.5
1
2.5
3
Ta
100°C
25°C
0
1
0.2
0.4
0.8
0.6
一般 源
Ta
25°C
0
0.5
1
1.5
2
V
GS
2.5 v
4 v
一般 源
I
D
0.85 一个
0
150 100 50
V
GS
2.5 v
4 v
0
1
0.2
0.4
0.8
0.6
10
0.1
1000
100
100
10
一般 源
V
GS
0
f
1 mhz
Ta
25°C
1
1
C
rss
C
oss
C
iss
0
0
一般 源
Ta
25°C
1.6 v
V
GS
1.4 v
2
1.8
1.6
0.5
1
1.5
2
4 v
1.8 v
2.0 v
2.2 v
2.5 v
0.6
0.4
0.2
1.2
1.0
0.8
1.4
|Y
fs
| – i
D
0.01
0.001
1
0.1
10
0.1
1
0.01
10
100
一般 源
V
DS
3 v
Ta
25°C
流-源 在 阻抗
rds (在)
(
)
流 电流 I
D
(一个)
流 电流 I
D
(毫安)
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(
)
流-源 电压 V
DS
(v)
门-源 电压 v
GS
(v)
流 电流 I
D
(一个)
包围的 温度 ta (°c)
向前 转移 admittance
|Y
fs
| (s)
流 电流 I
D
(一个)
电容 c (pf)
流-源 电压 v
DS
(v)
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