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资料编号：623688
 
资料名称：SSM6K08FU
 
文件大小： 160.3K
   
说明：
 
介绍:
CategoryTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII)/Category
 
 


: 点此下载
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6 		 
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SSM6K08FU
2002-01-24
3
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(m
)
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(m
)
流-源 电压 v
DS
(v)
I
D
– v
DS
流 电流 I
D
(一个)
I
D
– v
GS
流 电流 I
D
(毫安)
流 电流 I
D
(一个)
R
ds (在)
– i
D
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(m
)
包围的 温度 ta (°c)
门-源 电压 V
GS
(v)
门-源 电压 V
GS
(v)
R
ds (在)
– v
GS
流-源 电压 v
DS
(v)
I
DR
– v
DS
流 电流 I
DR
(一个)
0
100
200
25 150100 50 0 75 25 125
300
400
V
GS
2.0 v
2.5 v
4 v
I
D
0.8 一个
一般 源
3
2
0
0 0.5 11.5 2
1
4
一般 源
Ta
25°C
4 v 2.5 v
1.7 v
1.6 v
1.5 v
1.4 v
V
GS
1.3 v
2.0 v Ta
100°C
25°C
25°C
V
DS
3 v
一般 源
100
10000
10
1000
1
0.1
0.01
21.61.2 0.8 0.40
200
0
120
80
40
0
160
1 2 3
2.5 v
4.0 v
一般 源
Ta
25°C
V
GS
2.0 v
R
ds (在)
– ta
0
0 2 4 6 10 12 8
100
200
300
400
I
D
0.8 一个
一般 源
Ta
100°C
25°C
25°C
0
1
2
0
1.2
0.6
0.2
0.8
0.4
1.0
3
4
一般 源
V
GS
0
Ta
25°C
G
D
S
I
DR
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