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数据 薄板
256 kbit / 512 kbit / 1 mbit / 2 mbit multi-目的 flash
sst27sf256 / sst27sf512 / sst27sf010 / sst27sf020
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71152-02-000 5/01 502
在 v
PP
管脚, v
DD
= 5v (±5%), v
IL
在 ce# 管脚, 和
V
IH
在
oe# 管脚. 这 程序编制 模式 为 sst27sf512 是 acti-
vated 用 asserting 12v (±5%) 在 oe#/v
PP
管脚, v
DD
= 5v
(±5%), 和 v
IL
在 ce# 管脚. 这些 设备 是 pro-
grammed 字节-用-字节 和 这 desired 数据 在 这 desired
地址 使用 一个 单独的 脉冲波 (ce# 管脚 低 为
sst27sf256/512 和 pgm# 管脚 低 为 sst27sf010/
020) 的 20 µs. 使用 这 mtp 程序编制 algorithm, 这
字节-程序编制 处理 持续 字节-用-字节 直到
这 全部 碎片 有 被 编写程序.
碎片-擦掉 运作
这 仅有的 方法 至 改变 一个 数据 从 一个
“
0
”
至
“
1
”
是 用 electri-
cal 擦掉 那 改变 总是y 位 在 这 设备 至
“
1
”
. 不像
传统的 eproms, 这个 使用 uv 明亮的 至 做 这 碎片-
擦掉, 这 sst27sf256/512/010/020 使用 一个 电的
碎片-擦掉 运作. 这个 saves 一个 重大的 数量 的
时间 (关于 30 分钟 为 各自 擦掉 运作). 这
全部 碎片 能 是 erased 在 一个 单独的 脉冲波 的 100 ms (ce#
管脚 低 为 sst27sf256/512 和 pgm# 管脚 为
sst27sf010/020). 在 顺序 至 活动 这 擦掉 模式 为
sst27sf256/010/020, 这 12v (±5%) 是 应用 至 v
PP
和 一个
9
管脚, v
DD
= 5v (±5%), v
IL
在 ce# 管脚, 和
V
IH
在
oe# 管脚. 在 顺序 至 活动 擦掉 模式 为 sst27sf512,
这 12v (±5%) 是 应用 至 oe#/v
PP
和 一个
9
管脚, v
DD
=
5v (±5%), 和 v
IL
在 ce# 管脚. 所有 其它 地址 和 数据
管脚 是
“
don
’
t 小心
”
. 这 下落 边缘 的 ce# (pgm# 为
sst27sf010/020) 将 开始 这 碎片-擦掉 运作.
once 这 碎片 有 被 erased, 所有 字节 必须 是 核实
为 ffh. 谈及 至 计算数量 13, 14, 和 15 为 这 flowcharts.
产品 identification 模式
这 产品 identification 模式 identifies 这 设备 作
这 sst27sf256, sst27sf512, sst27sf010 和
sst27sf020 和 生产者 作 sst. 这个 模式 将
是 accessed 用 这 硬件 方法. 至 活动 这个
模式 为 sst27sf256/010/020, 这 程序编制 配备-
ment 必须 强迫 v
H
(12v±5%) 在 地址 一个
9
和 v
PP
管脚
在 v
DD
(5v±10%) 或者 v
SS
. 至 活动 这个 模式 为
sst27sf512, 这 程序编制 设备 必须 强迫 v
H
(12v±5%) 在 地址 一个
9
和 oe#/v
PP
管脚 在 v
IL
. 二
identifier 字节 将 然后 是 sequenced 从 这 设备
输出 用 toggling 地址 线条 一个
0
. 为 详细信息, 看 tables
3, 4, 和 5 为 硬件 运作.
表格 1: P
RODUCT
I
DENTIFICATION
地址 数据
生产者
’
s id 0000H BFH
设备 id
SST27SF256 0001H A3H
SST27SF512 0001H A4H
SST27SF010 0001H A5H
SST27SF020 0001H A6H
t1.1 502
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