数据 薄板
256 kbit / 512 kbit / 1 mbit / 2 mbit multi-目的 flash
sst27sf256 / sst27sf512 / sst27sf010 / sst27sf020
7
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71152-02-000 5/01 502
便条:
x = v
IL
或者 v
IH
V
PPH
= 12v±5%, v
H
= 12v±5%
便条:
x = v
IL
或者 v
IH
V
PPH
= 12v±5%, v
H
= 12v±5%
表格 3: O
PERATION
M
ODES
S
ELECTION
为
SST27SF256
模式 CE# OE# V
PP
一个
9
DQ 地址
读 V
IL
V
IL
V
DD
或者 v
SS
一个
在
D
输出
一个
在
输出 使不能运转 V
IL
V
IH
V
DD
或者 v
SS
xhigh z X
字节-程序 V
IL
V
IH
V
PPH
一个
在
D
在
一个
在
备用物品 V
IH
XV
DD
或者 v
SS
xhigh z X
碎片-擦掉 V
IL
V
IH
V
PPH
V
H
高 z X
程序/擦掉 inhibit V
IH
XV
PPH
xhigh z X
产品 identification V
IL
V
IL
V
DD
或者 v
SS
V
H
生产者
’
s id (bfh)
设备 id (a3h)
一个
14
- 一个
1
= v
IL
, 一个
0
= v
IL
一个
14
- 一个
1
= v
IL
, 一个
0
= v
IH
t3.1 502
表格 4: O
PERATION
M
ODES
S
ELECTION
为
SST27SF512
模式 CE# oe#/v
PP
一个
9
DQ 地址
读 V
IL
V
IL
一个
在
D
输出
一个
在
输出 使不能运转 V
IL
V
IH
X 高 z X
程序 V
IL
V
PPH
一个
在
D
在
一个
在
备用物品 V
IH
X X 高 z X
碎片-擦掉 V
IL
V
PPH
V
H
高 z X
程序/擦掉 inhibit V
IH
V
PPH
X 高 z X
产品 identification V
IL
V
IL
V
H
生产者
’
s id (bfh)
设备 id (a4h)
一个
15
- 一个
1
= v
IL
, 一个
0
= v
IL
一个
15
- 一个
1
= v
IL
, 一个
0
= v
IH
t4.1 502
表格 5: O
PERATION
M
ODES
S
ELECTION
为
sst27sf010/020
模式 CE# OE# PGM# 一个
9
V
PP
DQ 地址
读 V
IL
V
IL
XA
在
V
DD
或者 v
SS
D
输出
一个
在
输出 使不能运转 V
IL
V
IH
XXV
DD
或者 v
SS
高 z 一个
在
程序 V
IL
V
IH
V
IL
一个
在
V
PPH
D
在
一个
在
备用物品 V
IH
XXXV
DD
或者 v
SS
高 z X
碎片-擦掉 V
IL
V
IH
V
IL
V
H
V
PPH
高 z X
程序/擦掉 inhibit V
IH
XXXV
PPH
高 z X
产品 identification V
IL
V
IL
XV
H
V
DD
或者 v
SS
生产者
’
s id (bfh)
设备 id
1
1. 设备 id = a5h 为 sst27sf010 和 a6h 为 sst27sf020
一个
MS
2
- 一个
1
= v
IL
, 一个
0
= v
IL
一个
MS
2
- 一个
1
= v
IL
, 一个
0
= v
IH
2. 一个
MS
= 大多数 重大的 地址
一个
MS
= 一个
16
为 sst27sf010 和 一个
17
为 sst27sf020
便条:
x = v
IL
或者 v
IH
V
PPH
= 12v±5%, v
H
= 12v±5%
t5.1 502