SST27SF020-90-3C-PH_集成电路资料查询网

数据 薄板
256 kbit / 512 kbit / 1 mbit / 2 mbit multi-目的 flash
sst27sf256 / sst27sf512 / sst27sf010 / sst27sf020
9
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71152-02-000 5/01 502
表格 7: P
ROGRAM
/e
RASE
直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
为
SST27SF256
V
DD
=5.0v±10%, v
PP
=V
PPH
(ta=25
°
C±5
°
c)
标识 参数
限制
测试 情况最小值 最大值 单位
I
DD
V
DD
擦掉 或者 程序 电流 30 毫安 CE#=V
il,
OE#=V
IH
, v
PP
=12v±5%, v
DD
=V
DD
最大值
I
PP
V
PP
擦掉 或者 程序 电流 1 毫安 CE#=V
il,
OE#=V
IH
, v
PP
=12v±5%, v
DD
=V
DD
最大值
I
LI
输入 泄漏 电流 1 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LO
输出 泄漏 电流 1 µA V
输出
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
V
H
supervoltage 为 一个
9
11.4 12.6 V CE#=OE#=V
il,
I
H
supervoltage 电流 为 一个
9
100 µA CE#=OE#=V
il,
一个
9
=V
H
最大值
V
PPH
高 电压 为 v
PP
管脚 11.4 12.6 V
t7.1 502
表格 8: P
ROGRAM
/e
RASE
直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
为
SST27SF512
V
DD
=5.0v±10%, v
PP
=V
PPH
(ta=25
°
C±5
°
c)
标识 参数
限制
测试 情况最小值 最大值 单位
I
DD
V
DD
擦掉 或者 程序 电流 30 毫安 CE#=V
il,
oe#/v
PP
=12v±5%, v
DD
=V
DD
最大值
I
PP
V
PP
擦掉 或者 程序 电流 1 毫安 CE#=V
il,
oe#/v
PP
=12v±5%, v
DD
=V
DD
最大值
I
LI
输入 泄漏 电流 1 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LO
输出 泄漏 电流 1 µA V
输出
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
V
H
supervoltage 为 一个
9
11.4 12.6 V ce#=oe#/v
PP
=V
il,
I
H
supervoltage 电流 为 一个
9
100 µA ce#=oe#/v
PP
=V
il,
一个
9
=V
H
最大值
V
PPH
高 电压 为 oe#/v
PP
管脚 11.4 12.6 V
t8.1 502
表格 9: P
ROGRAM
/e
RASE
直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
为
sst27sf010/020
V
DD
=5.0v±10%, v
PP
=V
PPH
(ta=25
°
C±5
°
c)
标识 参数
限制
测试 情况最小值 最大值 单位
I
DD
V
DD
擦掉 或者 程序 电流 30 毫安 CE#=PGM#=V
il,
OE#=V
IH
, v
PP
=12v±5%,
V
DD
=V
DD
最大值
I
PP
V
PP
擦掉 或者 程序 电流 1 毫安 CE#=PGM#=V
il,
OE#=V
IH
, v
PP
=12v±5%,
V
DD
=V
DD
最大值
I
LI
输入 泄漏 电流 1 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LO
输出 泄漏 电流 1 µA V
输出
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
V
H
supervoltage 为 一个
9
11.4 12.6 V CE#=OE#=V
il,
I
H
supervoltage 电流 为 一个
9
100 µA CE#=OE#=V
il,
一个
9
=V
H
最大值
V
PPH
高 电压 为 v
PP
管脚 11.4 12.6 V
t9.1 502

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数据薄板 256 kbit / 512 kbit / 1 mbit / 2 mbit multi-目的 flash sst27sf256 / sst27sf512 / sst27sf010 / sst27sf020 9 ©2001 硅存储技术, 公司 s71152-02-000 5/01 502 表格 7: P ROGRAM /e RASE 直流 o PERATING C HARACTERISTICS 为 SST27SF256 V DD =5.0v±10%, v PP =V PPH (ta=25 ° C±5 ° c) 标识参数限制测试情况最小值最大值单位 I DD V DD 擦掉或者程序电流 30 毫安 CE#=V il, OE#=V IH , v PP =12v±5%, v DD =V DD 最大值 I PP V PP 擦掉或者程序电流 1 毫安 CE#=V il, OE#=V IH , v PP =12v±5%, v DD =V DD 最大值 I LI 输入泄漏电流 1 µA V 在 =地至 v DD , v DD =V DD 最大值 I LO 输出泄漏电流 1 µA V 输出 =地至 v DD , v DD =V DD 最大值 V H supervoltage 为一个 9 11.4 12.6 V CE#=OE#=V il, I H supervoltage 电流为一个 9 100 µA CE#=OE#=V il, 一个 9 =V H 最大值 V PPH 高电压为 v PP 管脚 11.4 12.6 V t7.1 502 表格 8: P ROGRAM /e RASE 直流 o PERATING C HARACTERISTICS 为 SST27SF512 V DD =5.0v±10%, v PP =V PPH (ta=25 ° C±5 ° c) 标识参数限制测试情况最小值最大值单位 I DD V DD 擦掉或者程序电流 30 毫安 CE#=V il, oe#/v PP =12v±5%, v DD =V DD 最大值 I PP V PP 擦掉或者程序电流 1 毫安 CE#=V il, oe#/v PP =12v±5%, v DD =V DD 最大值 I LI 输入泄漏电流 1 µA V 在 =地至 v DD , v DD =V DD 最大值 I LO 输出泄漏电流 1 µA V 输出 =地至 v DD , v DD =V DD 最大值 V H supervoltage 为一个 9 11.4 12.6 V ce#=oe#/v PP =V il, I H supervoltage 电流为一个 9 100 µA ce#=oe#/v PP =V il, 一个 9 =V H 最大值 V PPH 高电压为 oe#/v PP 管脚 11.4 12.6 V t8.1 502 表格 9: P ROGRAM /e RASE 直流 o PERATING C HARACTERISTICS 为 sst27sf010/020 V DD =5.0v±10%, v PP =V PPH (ta=25 ° C±5 ° c) 标识参数限制测试情况最小值最大值单位 I DD V DD 擦掉或者程序电流 30 毫安 CE#=PGM#=V il, OE#=V IH , v PP =12v±5%, V DD =V DD 最大值 I PP V PP 擦掉或者程序电流 1 毫安 CE#=PGM#=V il, OE#=V IH , v PP =12v±5%, V DD =V DD 最大值 I LI 输入泄漏电流 1 µA V 在 =地至 v DD , v DD =V DD 最大值 I LO 输出泄漏电流 1 µA V 输出 =地至 v DD , v DD =V DD 最大值 V H supervoltage 为一个 9 11.4 12.6 V CE#=OE#=V il, I H supervoltage 电流为一个 9 100 µA CE#=OE#=V il, 一个 9 =V H 最大值 V PPH 高电压为 v PP 管脚 11.4 12.6 V t9.1 502

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