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sst200/200a
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
6-4
文档 号码:  70976
s-20517
—
rev. d, 15-apr-02
典型 特性 (t
一个
= 25

c 除非 否则 指出)
0.1 10.01 0.01 0.1 1
200
160
120
80
40
0
2000
1600
1200
800
400
0
I
D
–
流 电流 (毫安)
电路 电压 增益 vs. 流 电流
在-阻抗 vs. 流 电流
I
D
–
流 电流 (毫安)
V
gs(止)
=
–
0.7 v
–
1.5 v
V
gs(止)
=
–
0.7 v
–
1.5 v
一个
V

g
fs
R
L
1

R
L
g
os
假设 v
DD
= 15 v, v
DS
= 5 v
R
L

10 V
I
D
一般-源 输入 电容
vs. 门-源 电压
10
0
–
12
–
16
–
20
–
8
–
4
8
6
4
2
0
5
0
–
12
–
20
–
16
–
8
–
4
4
3
2
1
0
一般-源 反转 反馈 电容
vs. 门-源 电压
V
GS
–
门-源 电压 (v)
V
DS
= 0 v
10 v
f = 1 mhz
V
GS
–
门-源 电压 (v)
–
输入 电容 (pf)C
iss
V
DS
= 0 v
10 v
f = 1 mhz
10 100 1 k 100 k10 k
20
16
12
8
4
0
相等的 输入 噪音 电压 vs. 频率
f
–
频率 (hz)
V
DS
= 10 v
I
D
@ 100

一个
V
GS
= 0 v
输出 特性
300
0 0.5
240
180
120
60
0
V
DS
–
流-源 电压 (v)
0.1 0.2 0.3 0.4
V
gs(止)
=
–
0.7 v
V
GS
= 0 v
–
0.1
–
0.2
–
0.3
–
0.4
–
0.5
en
–
噪音 电压  nv /    hz
r
ds(在)
–
流-源 在-阻抗 (
Ω )
一个
V
–
电压 增益
I
D
–
流 电流 (
µ
一个)
C
rss
–
反转 反馈 电容 (pf)

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sst200/200a vishay siliconix 新产品 www.vishay.com 6-4 文档号码: 70976 s-20517 — rev. d, 15-apr-02 典型特性 (t 一个 = 25  c 除非否则指出) 0.1 10.01 0.01 0.1 1 200 160 120 80 40 0 2000 1600 1200 800 400 0 I D – 流电流 (毫安) 电路电压增益 vs. 流电流在-阻抗 vs. 流电流 I D – 流电流 (毫安) V gs(止) = – 0.7 v – 1.5 v V gs(止) = – 0.7 v – 1.5 v 一个 V  g fs R L 1  R L g os 假设 v DD = 15 v, v DS = 5 v R L  10 V I D 一般-源输入电容 vs. 门-源电压 10 0 – 12 – 16 – 20 – 8 – 4 8 6 4 2 0 5 0 – 12 – 20 – 16 – 8 – 4 4 3 2 1 0 一般-源反转反馈电容 vs. 门-源电压 V GS – 门-源电压 (v) V DS = 0 v 10 v f = 1 mhz V GS – 门-源电压 (v) – 输入电容 (pf)C iss V DS = 0 v 10 v f = 1 mhz 10 100 1 k 100 k10 k 20 16 12 8 4 0 相等的输入噪音电压 vs. 频率 f – 频率 (hz) V DS = 10 v I D @ 100  一个 V GS = 0 v 输出特性 300 0 0.5 240 180 120 60 0 V DS – 流-源电压 (v) 0.1 0.2 0.3 0.4 V gs(止) = – 0.7 v V GS = 0 v – 0.1 – 0.2 – 0.3 – 0.4 – 0.5 en – 噪音电压 nv / hz r ds(在) – 流-源在-阻抗 ( Ω ) 一个 V – 电压增益 I D – 流电流 ( µ 一个) C rss – 反转反馈电容 (pf)

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