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STD150NH02L
8/9
  高 一侧 转变 (sw1) 低 一侧 转变 (sw2)
传导
P
d
*i *r
2
Lds(在)sw1
)1(*i *r
2
lds(在)sw2
d
−
切换
P
g
L
I
I
*f*)q(q*v
gd(sw1)gsth(sw1)在
+
零 电压 切换
恢复 不 适用
1
f*Q*V
rr(sw2)在
二极管
P
传导 不 适用
f*t*I*V
deadtimeLf(sw2)
)门(q
G
P
f*V*Q
ggg(sw1)
f*V*Q
gggls(sw2)
Qoss
P
2
f*Q*V
oss(sw1)在
2
f*Q*V
oss(sw2)在
参数 meaning
d
职责-循环
Q
gsth
邮递 门槛 门 承担
Q
gls
第三 quadrant 门 承担
Pconduction
在 状态 losses
Pswitching
在-止 转变 losses
Pdiode
传导 和 反转 恢复 二极管 losses
Pgate
门 驱动 losses
Qoss
P
输出 电容 losses
1
dissipated 用 sw1 在 转变-在

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STD150NH02L 8/9 高一侧转变 (sw1) 低一侧转变 (sw2) 传导 P d i r 2 Lds(在)sw1 )1(i r 2 lds(在)sw2 d − 切换 P g L I I f)q(qv gd(sw1)gsth(sw1)在 + 零电压切换恢复不适用 1 fQV rr(sw2)在二极管 P 传导不适用 ftIV deadtimeLf(sw2) )门(q G P fVQ ggg(sw1) fVQ gggls(sw2) Qoss P 2 fQV oss(sw1)在 2 fQV oss(sw2)在参数 meaning d 职责-循环 Q gsth 邮递门槛门承担 Q gls 第三 quadrant 门承担 Pconduction 在状态 losses Pswitching 在-止转变 losses Pdiode 传导和反转恢复二极管 losses Pgate 门驱动 losses Qoss P 输出电容 losses 1 dissipated 用 sw1 在转变-在

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