1/8十一月 2002
STGP10NB60SDFP
n-频道 10A - 600V - 至-220fp
PowerMesh™ IGBT
(
●
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
■
HIGHT 输入 阻抗 (电压
驱动)
■
低 在-电压 漏出
■
高 电流 能力
■
止 LOSSES 包含 TAIL 电流
描述
使用 这 最新的 高 电压 技术 为基础 在 一个
专利的 strip 布局, 意法半导体 有
设计 一个 先进的 家族 的 igbts, 这
PowerMESH
™
igbts, 和 优秀的
performances. 这 后缀 “S” identifies 一个 家族
优化 达到 最小 在-电压 漏出 为 低
频率 产品 (<1khz).
产品
■
明亮的 DIMMER
■
静态的 接转
■
发动机 控制
绝对 最大 比率
类型 V
CES
V
ce(sat)
I
C
STGP10NB60SDFP 600 < 1.8
V10A
标识 参数 值 单位
V
CES
集电级-发射级 电压 (v
GS
=0)
600 V
V
ECR
反转 电池 保护 20 V
V
GE
门-发射级 电压 ± 20 V
I
C
集电级 电流 (持续的) 在 T
C
=25°C
20 一个
I
C
集电级 电流 (持续的) 在 T
C
=100°C
10 一个
I
CM
(
)
集电级 电流 (搏动) 80 一个
P
TOT
总的 消耗 在 T
C
= 25°C
30 W
减额 因素 0.2 w/°c
V
ISO
绝缘 承受 电压 一个.c.(t = 1 秒; Tc = 25°c) 2500 V
T
stg
存储 温度 –65 至 150 °C
T
j
最大值 运行 接合面 温度 175 °C
至-220fp
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内部的 图式 图解
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