Figure5.G 一个teThres支撑V一个riation
和Temperature
Figure6.B re一个kdownVoltageV一个riation
和Temperature
Vth,Normalized
G 一个te-s ourceThres支撑 voltage
g
FS
,Transconductance(s )
V
G S
,G 一个te至S ourceVoltage(v)
B V
DS S
,Normalized
Dra在-s ourceB re一个kdownVoltage
是,S ource-dra在 current(一个)
Figure7.TransconductanceV一个riation
和Dra在C urrent
I
DS
,Dra在-s ourceC urrent(一个)
Figure9.G 一个teC harge
Qg,Total g 一个teC harge(nc )
Figure10.毫安ximumS 一个fe
Operating一个re一个
V
DS
,Dra在-s ourceVoltage(v)
Figure8.B odyDiodeF orwardVoltage
V一个riation和S ourceC urrent
V
S D
,B odyDiodeF orwardVoltage(v)
Tj,J unctionTemperature(C )
Tj,J unctionTemperature(C )
I
D
,Dra在C urrent(一个)
4
20.0
10.0
1.0
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
V
DS
=V
G S
I
D
=250uA
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
ID=250uA
12
9
6
3
15
0
0 5 10 15 20
V
DS
=5V
40
10
1
1
0.1
0.03
0.1 1 10 30 60
1
0
m
s
1
0
0
m
s
1s
D
C
V
G S
=10V
S ingleP ulse
T
一个
=25C
10
8
6
4
2
0
0 3 6 9 12 15 18 21 24
V
DS
=48V
I
D
=4.8A
S TM6930
R
D
S
(
O
N
)
L
i
m
i
t
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