1/812月 2002
STN4NF03L
n-频道 30V - 0.039
Ω
-6.5asot-223
STripFET™ II 电源 场效应晶体管
(1) 开始 T
j
=25°c, I
D
=6.5a, V
DD
=15V
■
典型 R
DS
(在) = 0.039
Ω
■
低 门槛 驱动
描述
这个 电源 场效应晶体管 是 这 最新的 开发 的 stmi-
croelectronics 唯一的 “Single 特性 Size™
”
strip-
为基础 处理. 这 结果 晶体管 显示 ex-
tremely 高 包装 密度 为 低 在-阻抗,
坚毅的 avalance 特性 和 较少 核心的 排整齐-
ment 步伐 因此 一个 remarkable 制造 re-
producibility.
产品
■
直流-直流 &放大; 直流-交流 转换器
■
直流 发动机 控制 (disk 驱动, 等.)
■
同步的 整流
绝对 最大 比率
(
●
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
类型 V
DSS
R
ds(在)
I
D
STN4NF03L 30V <0.05
Ω
6.5a
标识 参数 值 单位
V
DS
流-源 电压 (v
GS
=0)
30 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
=20k
Ω
)
30 V
V
GS
门- 源 电压 ±16 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
C
= 25°C
6.5 一个
I
D
流 电流 (持续的) 在 T
C
= 100°C
4.5 一个
I
DM
(
)
流 电流 (搏动) 26 一个
P
TOT
总的 消耗 在 T
C
= 25°C
3.3 W
减额 因素 0.026 w/°c
E
作
(1)
单独的 脉冲波 Avalanche 活力 200 mJ
T
stg
存储 温度
–55 至 175 °C
T
j
运行 接合面 温度
sot-223
1
2
2
3
内部的 图式 图解
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