STT320
thyristor-thyristor modules
标识 测试 情况 典型的 值 单位
I
RRM
T
VJ
=T
VJM
; v
R
=V
RRM
; v
D
=V
DRM
70 毫安
特性
* 国际的 标准 包装
* 直接 铜 绑定 al
2
O
3
-陶瓷的
根基 加设护板
* planar 钝化的 碎片
* 分开 电压 3600 v~
有利因素
* 空间 和 重量 savings
* 简单的 挂载
* 改进 温度 和 电源
cycling
* 减少 保护 电路
产品
* 发动机 控制
* 电源 转换器
* 热温 和 温度 控制 为
工业的 furnaces 和 化学的
处理
* lighting 控制
* 非接触式的 switches
毫安
I
DRM
40
V
V
T
, v
F
I
T
, i
F
=600a; t
VJ
=25
o
C 1.32
V
至
为 电源-丧失 calculations 仅有的 (t
VJ
=140
o
c) 0.8 V
r
T
0.82 m
V
D
=6v; t
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
V
GT
2
3
V
V
D
=6v; t
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
I
GT
150
200
毫安
V
GD
T
VJ
=T
VJM
; v
D
=2/3v
DRM
0.25 V
I
GD
10 毫安
I
H
T
VJ
=25
o
c; v
D
=6v; r
GK
= 150 毫安
T
VJ
=25
o
c; t
p
=30us; v
D
=6V
I
G
=0.45a; di
G
/dt=0.45a/美国
200
毫安
I
L
每 thyristor/二极管; 直流 电流
每 单元
R
thJC
0.112
0.056
k/w
每 thyristor/二极管; 直流 电流
每 单元
R
thJK
0.152
0.076
k/w
d
S
creeping 距离 在 表面 12.7 mm
d
一个
strike 距离 通过 空气 9.6 mm
一个
最大 容许的 acceleration
50 m/s
2
T
VJ
=25
o
c; v
D
=1/2v
DRM
I
G
=1a; di
G
/dt=1a/美国
t
gd
2
美国
T
VJ
=T
VJM
; i
T
=300a; t
p
=200us; -di/dt=10a/美国 典型值
V
R
=100v; dv/dt=50v/美国; v
D
=2/3v
DRM
t
q
200 美国
uC
Q
S
T
VJ
=125
o
c; i
T
, i
F
=400a; -di/dt=50a/美国 760
I
RM
275 一个
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