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资料编号:627756
 
资料名称:SUD30N03-30
 
文件大小: 65.05K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 30-V (D-S), 175 DegreeCelcious MOSFET
 
 


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sud30n03-30
vishay siliconix
文档 号码: 70268
s-57253—rev. d, 24-二月-98
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-1
n-频道 30-v (d-s), 175
c 场效应晶体管
 
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
30
0.030 @ v
GS
= 10 v
30
30
0.045 @ v
GS
n-频道 场效应晶体管
至-252
SGD
顶 视图
流 连接 至 tab
顺序 号码:
sud30n03-30
   

   
参数 标识 限制 单位
流-源 电压 V
DS
30
V
门-源 电压 V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t 175
c)
T
C
= 175
c)
T
C
= 100
C
I
D
21
一个
搏动 流 电流 I
DM
40
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导) I
S
30
最大 电源 消耗
T
C
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 175
C
  
参数 标识 限制 单位
最大 接合面-至-包围的 R
thJA
50
c/w
最大 接合面-至-情况 R
thJC
3.0
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 4” x 4” fr4 板.
为 额外的刺激 模型 信息 通过 这 worldwide 网: http://www.vishay.com/www/产品/额外的刺激.htm
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