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资料编号:627756
 
资料名称:SUD30N03-30
 
文件大小: 65.05K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 30-V (D-S), 175 DegreeCelcious MOSFET
 
 


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sud30n03-30
vishay siliconix
文档 号码: 70268
s-57253—rev. d, 24-二月-98
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-3
  
  
0
6
12
18
24
30
0 8 16 24 32 40
0
300
600
900
1200
1500
0 6 12 18 24 30
输出 特性 转移 特性
电容 门 承担
跨导 在-阻抗 vs. 流 电流
V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
– 流 电流 (一个)i
D
V
GS
– 门-至-源 电压 (v)
– 流 电流 (一个)i
D
– 门-至-源 电压 (v) – 在-阻抗 (
Q
g
– 总的 门 承担 (nc)
I
D
– 流 电流 (一个)
V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
c – 电容 (pf)
r
ds(在)
)v
GS
– 跨导 (s)g
fs
0
8
16
24
32
40
012345
0
2
4
6
8
10
0369121518
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0 8 16 24 32 40
0
8
16
24
32
40
0123456
25
C
–55
C
T
C
= 150
C
V
DS
= 15 v
I
D
= 30 一个
V
GS
= 10, 9, 8, 7, 6, 5 v
V
GS
= 10 v
V
GS
= –55
C
25
C
125
C
3 v
4 v
C
oss
C
iss
I
D
– 流 电流 (一个)
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