Siliconix
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s-57253—rev. e, 24-二月-98 siliconix 是 formerly 一个 分隔 的 temic 半导体
4
典型 特性 (25
c 除非 否则 指出)
在-阻抗 vs. 接合面 温度 源-流 二极管 向前 电压
(normalized)
– 在-阻抗 (
T
J
– 接合面 温度 (
c) V
SD
– 源-至-流 电压 (v)
r
ds(在)
)
– 源 电流 (一个)I
S
100
10
1
0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
V
GS
= 10 v
I
D
= 50 一个
T
J
= 25
C
T
J
= 175
C
0
热的 比率
safe 运行 范围
V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
– 流 电流 (一个)I
D
500
10
0.1
0.1 1 10 100
限制
用 r
ds(在)
1
100
T
一个
= 25
C
单独的 脉冲波
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
110
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
最大 流 电流 vs.
包围的 温度
T
一个
– 包围的 温度 (
c)
– 流 电流 (一个)I
D
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
1 ms
10 ms
100 ms
直流
10, 100
s
1 s
30
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