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资料编号:627773
 
资料名称:SUD23N06-31L
 
文件大小: 40.33K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET, Logic Level
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
sud23n06-31l
vishay siliconix
www.vishay.com
2
文档 号码: 72145
s-03536—rev. 一个,24-三月-03
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ
一个
最大值 单位
静态的
流-源损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
= 250
一个 60
V
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 1.0 2.0 3.0
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100
nA
V
DS
= 48 v, v
GS
= 0 v 1
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 48 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 125
C 50
Ag
DSS
V
DS
= 48 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 175
C 250
在-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
= 5 v, v
GS
= 10 v 50 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 15 一个 0.025 0.031
源 在 状态 阻抗
b
r
ds( )
V
GS
= 10 v, i
D
= 15 一个, t
J
= 125
C 0.055
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 15 一个, t
J
= 175
C 0.069
V
GS
=
4.5
v,I
D
= 10 一个 0.037 0.045
向前 跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 15 一个 20 S
动态
输入 电容 C
iss
670
输出 电容 C
oss
V
GS
= 0 v, v
DS
= 25 v, f = 1 mhz 140 pF
反转 转移 电容 C
rss
60
总的 门 承担
c
Q
g
11 17
门-源 承担
c
Q
gs
V
DS
= 30 v, v
GS
= 10 v, i
D
= 23 一个
3
nC
门-流 承担
c
Q
gd
DS
,
GS
,
D
3
转变-在 延迟 时间
c
t
d(在)
8 15
上升 时间
c
t
r
V
DD
= 30 v, r
L
= 1.3
15 25
ns
转变-止 延迟 时间
c
t
d(止)
V
DD
30 v, r
L
1.3
I
D
23 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 2.5
30 45
ns
下降 时间
c
t
f
25 40
源-流 二极管比率 和 特性 (t
C
= 25
c)
搏动 电流 I
SM
50
一个
二极管 向前 电压 V
SD
I
F
= 15 一个, v
GS
= 0 v 1.0 1.5 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 15 一个, di/dt = 100 一个/
s 30 60 ns
注释:
b. 为 设计 aid 仅有的; 不 主题 至 生产 测试.
c. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
d. 独立 的 运行 温度.
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