SUM110N06-04L_集成电路资料查询网

sum110n06-04l
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
4
文档 号码:  71704
s-20417
—
rev. b, 08-apr-02
典型 特性 (25

c 除非 指出)
流 源 损坏 vs.
接合面 temperature
avalanche 电流 vs. 时间
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
–
50
–
25 0 25 50 75 100 125 150 175 200
在-阻抗 vs. 接合面 temperature 源-流 二极管 向前 电压
T
J
–
接合面 温度 (

c) V
SD
–
源-至-流 电压 (v)
–
源 电流 (一个)I
S
100
10
1
0.3 0.6 0.9 1.2
V
GS
= 10 v
I
D
= 30 一个
T
J
= 25

C
T
J
= 150

C
(normalized)
–
在-阻抗 (r
ds(在)

)
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60
65
70
75
80
–
50
–
25 0 25 50 75 100 125 150 175 200
T
J
–
接合面 温度 (

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在
(秒)
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10
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一个
= 150

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I
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= 10 毫安
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一个
= 25

C

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sum110n06-04l vishay siliconix 新产品 www.vishay.com 4 文档号码: 71704 s-20417 — rev. b, 08-apr-02 典型特性 (25  c 除非指出) 流源损坏 vs. 接合面 temperature avalanche 电流 vs. 时间 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 – 50 – 25 0 25 50 75 100 125 150 175 200 在-阻抗 vs. 接合面 temperature 源-流二极管向前电压 T J – 接合面温度 (  c) V SD – 源-至-流电压 (v) – 源电流 (一个)I S 100 10 1 0.3 0.6 0.9 1.2 V GS = 10 v I D = 30 一个 T J = 25  C T J = 150  C (normalized) – 在-阻抗 (r ds(在)  ) 0 60 65 70 75 80 – 50 – 25 0 25 50 75 100 125 150 175 200 T J – 接合面温度 (  c)t 在 (秒) 1000 10 0.0001 0.001 0.10.00001 0.1 (一个)i Dav 0.01 I AV (一个) @ t 一个 = 150  C (v)v (br)dss I D = 10 毫安 100 1 I AV (一个) @ t 一个 = 25  C

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