sum110p06-07l
vishay siliconix
www.vishay.com
2
文档 号码: 72439
s-40842—rev. b, 03-将-04
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
流-源损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
=
−
250
一个
−
60
V
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
=
−
250
一个
−
1
−
3
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
V
DS
=
−
60 v, v
GS
= 0 v
−
1
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=
−
60 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 125
C
−
50
g
DSS
V
DS
=
−
60 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 175
C
−
250
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
=
−
5 v, v
GS
=
−
10 v
−
120 一个
V
GS
=
−
10 v, i
D
=
−
30 一个 0.0055 0.0069
流 源 在 状态 阻抗
一个
r
ds( )
V
GS
=
−
10 v, i
D
=
−
30 一个, t
J
= 125
C 0.0115
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
=
−
10 v, i
D
=
−
30 一个, t
J
= 175
C 0.0138
V
GS
=
−
4.5 v, i
D
=
−
20 一个 0.007 0.0088
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
=
−
15 v, i
D
=
−
50 一个 20 S
动态
b
输入 电容 C
iss
11400
输出 电容 C
oss
V
GS
= 0 v, v
DS
=
−
25 v, f = 1 mhz 1200 pF
reversen 转移 电容 C
rss
900
总的 门 承担
c
Q
g
230 345
门-源 承担
c
Q
gs
V
DS
=
−
30 v,
V
GS
=
−
10 v, i
D
=
−
110 一个
50
nC
门-流 承担
c
Q
gd
DS
,
GS
,
D
60
门 阻抗 R
g
f = 1.0 mhz 3
转变-在 延迟 时间
c
t
d(在)
20 30
上升 时间
c
t
r
V
DD
=
−
30 v, r
L
= 0.27
160 240
ns
转变-止 延迟 时间
c
t
d(止)
V
DD
30 v, r
L
0.27
I
D
−
110 一个, v
GEN
=
−
10 v, r
g
= 2.5
200 300
ns
下降 时间
c
t
f
g
240 360
源-流 二极管比率 和 特性 (t
C
= 25
c)
b
持续的 电流 I
s
−
110
一个
搏动 电流 I
SM
−
240
一个
向前 电压
一个
V
SD
I
F
=
−
85 一个, v
GS
= 0 v
−
1.0
−
1.5 V
反转 恢复 时间 t
rr
65 100 ns
顶峰 反转 恢复 电流 I
rm(rec)
I
F
=
−
85 一个, di/dt = 100 一个/
s
−
4.2
−
6.3 一个
反转 恢复 承担 Q
rr
F
,
0.14 0.32
C
注释:
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
c. 独立 的 运行 温度.
: 点此下载
