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资料编号:627870
 
资料名称:SUP28N15-52
 
文件大小: 49.41K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 150-V (D-S) 175 C MOSFET
 
 


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sup28n15-52
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
4
文档 号码: 71939
s-21375
rev. 一个, 12-8月-02
典型 特性 (25
c 除非 指出)
V
SD
- 源-至-流 电压 (v)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
在-阻抗 vs. 接合面 temperature 源-流 二极管 向前 电压
(normalized)
- 在-阻抗 (
T
J
- 接合面 温度 (
c)
r
ds(在)
)
- 源 电流 (一个)I
S
100
10
1
0.3 0.6 0.9 1.2
V
GS
= 10 v
I
D
= 5 一个
T
J
= 25
C
T
J
= 150
C
0
热的比率
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
0
5
10
15
20
25
30
0 25 50 75 100 125 150 175
safe 运行 范围
V
DS
- 流-至-源 电压 (v)
- 流 电流 (一个)I
D
10
0.1
0.1 1 10 1000
1
100
T
C
= 25
C
单独的 脉冲波
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-情况
2
1
0.1
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
110
最大 avalanche 流 电流
vs. 情况 temperature
T
C
- 情况 温度 (
c)
- 流 电流 (一个)I
D
0.2
0.1
职责 循环 = 0.5
10 ms
100 ms
直流
30
100
s
10
s
100
1 ms
0.05
0.02
单独的 脉冲波
限制
r
ds(在)
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