sup/sub65p04-15
vishay siliconix
新 产品
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2-2
文档 号码: 71174
s-00831—rev. 一个, 01-将-00
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
= –250
一个
–40
V
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= –250
一个
–1 –3
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
ZGVl DiC I
V
DS
= –40 v, v
GS
= 0 v –1
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= –40 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 125
C –50
V
DS
= –40 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 175
C –250
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
= –5 v, v
GS
= –10 v –120 一个
DiS OS R i
一个
V
GS
= –10 v, i
D
= –30 一个 0.012 0.015
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= –10 v, i
D
= –30 一个, t
J
= 125
C 0.024
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= –10 v, i
D
= –30 一个, t
J
= 175
C 0.030
V
GS
= –4.5 v, i
D
= –20 一个 0.018 0.023
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= –15 v, i
D
= –50 一个 20 S
动态
b
输入 电容 C
iss
V 0 V V 25 V f 1 MH
5400
F
输出 电容 C
oss
V
GS
= 0 v, v
DS
= –25 v, f = 1 mhz
640
pF
reversen 转移 电容 C
rss
300
总的 门 承担
c
Q
g
V20VV10VI65A
85 130
C
门-源 承担
c
Q
gs
V
DS
= –20 v,
V
GS
= –10 v, i
D
= –65 一个
25
nC
门-流 承担
c
Q
gd
15
转变-在 延迟 时间
c
t
d(在)
15 25
上升 时间
c
t
r
V
DD
= –20 v, r
L
= 0.3
380 580
ns
转变-止 延迟 时间
c
t
d(止)
DD
,
L
I
D
–65 一个, v
GEN
= –10 v, r
G
= 2.5
75 115
ns
下降 时间
c
t
f
140 210
源-流 二极管 比率 和 特性 (t
C
= 25
c)
b
持续的 电流 I
s
–65
一个
搏动 电流 I
SM
–240
一个
向前 电压
一个
V
SD
I
F
= –65 一个, v
GS
= 0 v –1.2 –1.5 V
反转 恢复 时间 t
rr
I 65 一个 di/d 100 一个/
40 80 ns
顶峰 反转 恢复 电流 I
rm(rec)
I
F
= –65 一个, di/dt = 100 一个/
s
2.0 4 一个
反转 恢复 承担 Q
rr
0.04 0.1
C
注释:
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
c. 独立 的 运行 温度.
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