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资料编号:627890
 
资料名称:SUP65P04-15
 
文件大小: 57.45K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
sup/sub65p04-15
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71174
s-00831—rev. 一个, 01-将-00
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-5
 
0
15
30
45
60
75
0 25 50 75 100 125 150 175
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-情况
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
10
最大 avalanche 和 流 电流
vs. 情况 温度
T
C
– 情况 温度 (
c)
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
职责 循环 = 0.5
safe 运行 范围
V
DS
– 流-至-源 电压 (v)
1000
1
0.1 1 10 100
限制
用 r
ds(在)
0.1
10
– 流 电流 (一个)i
D
1 ms
10
s
100
s
T
C
= 25
C
单独的 脉冲波
100 ms
直流
10 ms
– 流 电流 (一个)i
D
100
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 62.5
c/w
3. t
JM
– t
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
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