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资料编号:627897
 
资料名称:SUP75N05-07
 
文件大小: 78.47K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 55-V (D-S), 175C MOSFET
 
 


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sup/sub75n05-07
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-4
文档 号码: 70871
s-60952—rev. 一个, 19-apr-99
  
  
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
–50 –25 0 25 50 75 100 125 150 175
在-阻抗 vs. 接合面 温度 源-流 二极管 向前 电压
T
J
– 接合面 温度 (
c) V
SD
– 源-至-流 电压 (v)
– 源 电流 (一个)i
S
100
10
1
0.3 0.6 0.9 1.2
V
GS
= 10 v
I
D
= 75 一个
T
J
= 25
C
T
J
= 150
C
(normalized)
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
0
40
50
60
70
80
–50 –25 0 25 50 75 100 125 150 175
流-源 损坏 vs.
接合面 温度
T
J
– 接合面 温度 (
c)
avalanche 电流 vs. 时间
t
(秒)
300
10
0.0001 0.001 0.1 1
1
100
(一个)i
Dav
0.01
I
AV
(一个) @ t
J
= 150
C
I
AV
(一个) @ t
J
= 25
C
(v)v
(br)dss
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