kst-j022-000
2
SUR540EF
绝对 最大 比率
(tr1, tr2)
Ta=25
°
C
比率
典型的 标识
Tr1Tr2
单位
集电级-根基 电压 V
CBO
50 -50V
集电级-发射级 电压 V
CEO
50 -50
发射级-根基 电压 V
EBO
5 -5 v
集电级 电流 I
C
100 -100 毫安
电源 消耗 P
D
100 mw
接合面 温度 T
J
150
°
C
存储 温度 T
STG
-55 ~ 150
°
C
电的 特性
(tr1 : npn)
Ta=25
°
C
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截-止 电流 I
CBO
V
CB
=50v, i
E
=0 - - 500 na
发射级 截-止 电流 I
EBO
V
EB
=5v, i
C
=0 - - 500 na
直流 电流 增益 h
FE
V
CE
=5v, i
C
=1ma 120 - - -
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
=10ma, i
B
=0.5ma - 0.1 0.3 v
转变 频率
f
T
*
V
CE
=10v, i
C
=5ma - 250 - mhz
输入 阻抗 R
1
-
- 4.7 -
K
Ω
集电级 截-止 电流 I
CBO
V
CB
=50v, i
E
=0 - - 500 na
* : 典型的 的 晶体管 仅有的
电的 特性
(tr
2
:
PNP
)
Ta=25
°
C
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截-止 电流 I
CBO
V
CB
=-50v, i
E
=0 - - -500 na
发射级 截-止 电流 I
EBO
V
EB
=-5v, i
C
=0 - - -500 na
直流 电流 增益 h
FE
V
CE
=-5v, i
C
=-1ma 120 - - -
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
=-10ma, i
B
=-0.5ma - -0.1 -0.3 v
转变 频率
f
T
*
V
CE
=-10v, i
C
=-5ma - 250 - mhz
输入 阻抗 R
1
- - 4.7 -
K
Ω
集电级 截-止 电流 I
CBO
V
CB
=-50v, i
E
=0 - - -500 na
* : 典型的 的 晶体管 仅有的
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