2004 Oct 18 2
飞利浦 半导体 产品 规格
反相的 施密特 触发 74ahc3g14; 74ahct3g14
特性
•
对称的 输出 阻抗
•
高 噪音 免除
•
静电释放 保护:
– hbm eia/jesd22-a114-b 超过 2000 V
– mm eia/jesd22-a115-一个 超过 200 V
– cdm eia/jesd22-c101 超过 500 v.
•
低 电源 消耗
•
保持平衡 传播 延迟
•
多样的 包装 选项
•
指定 从
−
40
°
C 至 +85
°
C 和
−
40
°
C 至 +125
°
c.
产品
•
波 和 脉冲波 shapers
•
非稳定式的 multivibrators
•
monostable multivibrators.
描述
这 74ahc3g/ahct3g14 是 一个 高-速 si-门 CMOS
设备.
这 74ahc3g/ahct3g14 提供 三 反相的
缓存区 和 施密特-触发 action. 这些 设备 是
有能力 的 transforming 慢速地 changing 输入 信号 在
sharply 定义, jitter-自由 输出 信号.
快 涉及 数据
地 = 0 v; t
amb
=25
°
c; t
r
=t
f
≤
3.0 ns.
注释
1. C
PD
是 使用 至 决定 这 动态 电源 消耗 (p
D
在
µ
w).
P
D
=C
PD
×
V
CC
2
×
f
i
×
N+
Σ
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) 在哪里:
f
i
= 输入 频率 在 mhz;
f
o
= 输出 频率 在 mhz;
C
L
= 输出 加载 电容 在 pf;
V
CC
= 供应 电压 在 伏特;
N = 号码 的 输入 切换;
Σ
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) = 总 的 这 输出.
2. 这 情况 是 v
I
= 地 至 V
CC
.
函数 表格
看 便条 1.
便条
1. H = 高 电压 水平的;
L = 低 电压 水平的.
标识 参数 情况
典型
单位
AHC3G14 AHCT3G14
t
PHL
/t
PLH
传播 延迟 一个 至 Y C
L
= 15 pf; v
CC
= 5 V 3.2 4.1 ns
C
I
输入 电容 1.5 1.5 pF
C
PD
电源 消耗 电容 C
L
= 15 pf; f = 1 mhz;
注释 1 和 2
10 12 pF
输入 输出
nA nY
LH
HL