TA2154AFN_集成电路资料查询网

TA2154AFN
2002-10-21
8
最大 比率
(ta



25°c)
特性 标识 比率 单位
供应 电压 V
CC
4.5 v
电源 消耗  P
D
(便条2) 550 mW
运行 温度 T
opr

10~60 °c
存储 温度 T
stg

55~150 °c
便条 2: derated 在之上 ta

25°c 在 这 份额 的 4.4 mw/°c.
电的 特性
除非 否则 指定
: v
CC



1.2 v, ta



25°c, fm f/e: f



98 mhz, f
m



1 khz,



f






75 khz, v
在



60dB



v emf
fm 如果: f



10.7 mhz, f
m



1 khz,



f






75 khz, v
在



80dB



v emf
am: f



1000 khz, f
m



1 khz, mod



30%, v
在



60dB



v emf
mpx: f
m



1 khz, f
p



19 khz
特性 标识
测试
电路
测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CC1

pw sw 止   20

一个
I
CC2

am 模式, v
在

0  5.0 7
I
CC3

fm 模式, v
在

0  13.0 17
供应 电流
I
CC4

tv 模式, v
在

0  13.5 17
毫安
输入 限制的 电压 V
在 (lim)

要点 在哪里 发现 输出 是

3db 和 vin

60dB

v emf
作 涉及

12

dB

V
EMF
FM
f/e
local osc 缓存区 输出
电压
V
osc
(buff) fm

f
osc

6.79375 mhz
(217.4 mhz 分隔 用 32)
150 200

mvp-p
输入 限制的 电压 V
在 (lim)

要点 在哪里 发现 输出 是

3db 和 v
在

60dB

v emf
作 涉及
14
dB

V
EMF
TV
f/e
local 振荡器 缓存区 输出
V
osc
(buff) tv

f
osc

26.3375 mhz
(210.7 mhz 分隔 用 8)
150 200  mvp-p
输入 限制的 电压 V
在 (lim)

要点 在哪里 发现 输出 是

3db 和 v
在

80dB

v emf
作 涉及
37 42 47
dB

V
EMF
recovered 输出 电压 V
od (fm)
 
 115 140 180 mVrms
信号 至 噪音 比率 1 s/n (fm)
 

73

dB
总的 调和的 扭曲量 1 thd (fm)
 

0.2

%
am 拒绝 限定 amr (fm)

MOD

30%

62

dB
如果 计数 输出 电压 V
如果 (fm)
 
150 190

mvp-p
FM
如果
如果 计数 敏锐的 如果
敏感性 (fm)

R
SEN

3.3 k

 48 53 58
dB

V
EMF
增益 g
v

V
在

32dB

v emf 19 29 51 mvrms
recovered 输出 电压 V
od (am)
 
 27 40 54 mvrms
信号 至 噪音 比率 2 s/n (am)
 

37

dB
总的 调和的 扭曲量 2 thd (am)
 

13

%
local osc 缓存区 输出
电压
V
osc
(buff) am

f
osc

14.5 mhz 130 180

mvp-p
如果 计数 输出 电压 V
如果 (am)
 
140 180

mvp-p
AM
如果 计数 敏锐的 如果
敏感性 (am)

R
SEN

3.3 k

 27 32 37
dB

V
EMF

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TA2154AFN 2002-10-21 8 最大比率 (ta    25°c) 特性标识比率单位供应电压 V CC 4.5 v 电源消耗 P D (便条2) 550 mW 运行温度 T opr  10~60 °c 存储温度 T stg  55~150 °c 便条 2: derated 在之上 ta  25°c 在这份额的 4.4 mw/°c. 电的特性除非否则指定 : v CC    1.2 v, ta    25°c, fm f/e: f    98 mhz, f m    1 khz,    f       75 khz, v 在    60dB    v emf fm 如果: f    10.7 mhz, f m    1 khz,    f       75 khz, v 在    80dB    v emf am: f    1000 khz, f m    1 khz, mod    30%, v 在    60dB    v emf mpx: f m    1 khz, f p    19 khz 特性标识测试电路测试情况最小值典型值最大值单位 I CC1  pw sw 止 20  一个 I CC2  am 模式, v 在  0 5.0 7 I CC3  fm 模式, v 在  0 13.0 17 供应电流 I CC4  tv 模式, v 在  0 13.5 17 毫安输入限制的电压 V 在 (lim)  要点在哪里发现输出是  3db 和 vin  60dB  v emf 作涉及  12  dB  V EMF FM f/e local osc 缓存区输出电压 V osc (buff) fm  f osc  6.79375 mhz (217.4 mhz 分隔用 32) 150 200  mvp-p 输入限制的电压 V 在 (lim)  要点在哪里发现输出是  3db 和 v 在  60dB  v emf 作涉及 14 dB  V EMF TV f/e local 振荡器缓存区输出 V osc (buff) tv  f osc  26.3375 mhz (210.7 mhz 分隔用 8) 150 200 mvp-p 输入限制的电压 V 在 (lim)  要点在哪里发现输出是  3db 和 v 在  80dB  v emf 作涉及 37 42 47 dB  V EMF recovered 输出电压 V od (fm)   115 140 180 mVrms 信号至噪音比率 1 s/n (fm)    73  dB 总的调和的扭曲量 1 thd (fm)    0.2  % am 拒绝限定 amr (fm)  MOD  30%  62  dB 如果计数输出电压 V 如果 (fm)   150 190  mvp-p FM 如果如果计数敏锐的如果敏感性 (fm)  R SEN  3.3 k  48 53 58 dB  V EMF 增益 g v  V 在  32dB  v emf 19 29 51 mvrms recovered 输出电压 V od (am)   27 40 54 mvrms 信号至噪音比率 2 s/n (am)    37  dB 总的调和的扭曲量 2 thd (am)    13  % local osc 缓存区输出电压 V osc (buff) am  f osc  14.5 mhz 130 180  mvp-p 如果计数输出电压 V 如果 (am)   140 180  mvp-p AM 如果计数敏锐的如果敏感性 (am)  R SEN  3.3 k  27 32 37 dB  V EMF

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