28f004/400b3, 28f008/800b3, 28f016/160b3, 28f320b3, 28f640b3
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2.2 块 organization
这 3 volt 先进的 激励 块 是 一个 asymmetrically-blocked architecture 那 使能 系统
integration 的 代号 和 数据 在里面 一个 单独的 flash 设备. 各自 块 能 是 erased independently
的 这 其他 向上 至 100,000 时间. 为 这 地址 locations 的 各自 块, 看 这 记忆 maps 在
附录 c.
2.2.1 参数 blocks
这 3 volt 先进的 激励 块 flash 记忆 architecture 包含 参数 blocks 至 facilitate
存储 的 frequently updated 小 参数 (e.g., 数据 那 将 正常情况下 是 贮存 在 一个
可擦可编程只读存储器). 用 使用 软件 技巧, 这 文字-rewrite 符合实际 的 eeproms 能 是
emulated. 各自 设备 包含 第八 参数 blocks 的 8-kbytes/4-kwords (8192 字节/4,096
words) 各自.
2.2.2 主要的 blocks
之后 这 参数 blocks, 这 remainder 的 这 排列 是 分隔 在 equal 大小 主要的 blocks
(65,536 字节/32,768 words) 为 数据 或者 代号 存储. 这 4-mbit 设备 包含 七 主要的
blocks; 8-mbit 设备 包含 fifteen 主要的 blocks; 16-mbit flash 有 thirty-one 主要的 blocks;
32-mbit 有 sixty-三 主要的 blocks; 64-mbit 有 一个 hundred twenty-seven 主要的 blocks.
3.0 principles 的 运作
flash 记忆 结合 可擦可编程只读存储器 符合实际 和 在-电路 电的 程序 和 擦掉
能力. 这 3 volt 先进的 激励 块 flash 记忆 家族 运用 一个 command 用户
接口 (cui) 和 automated algorithms 至 使简化 程序 和 擦掉 行动. 这 cui
准许 为 100% cmos-水平的 控制 输入 和 fixed 电源 供应 在 erasure 和
程序编制.
当 v
PP
< v
PPLK
, 这 设备 将 仅有的 execute 这 下列的 commands successfully: 读
排列, 读 状态 寄存器, clear 状态 寄存器 和 读 identifier. 这 设备 提供
标准 可擦可编程只读存储器 读, 备用物品 和 输出 使不能运转 行动. 生产者 identification 和
设备 identification 数据 能 是 accessed 通过 这 cui. 所有 功能 有关联的 和 altering
记忆 内容, namely 程序 和 擦掉, 是 accessible 通过 这 cui. 这 内部的 写 状态
机器 (wsm) 完全地 automates 程序 和 擦掉 行动 当 这 cui 信号 这
开始 的 一个 运作 和 这 状态 寄存器 reports 状态. 这 cui handles 这 we# 接口 至 这
数据 和 地址 latches, 作 好 作 系统 状态 requests 在 wsm 运作.
3.1 总线 运作
3 volt 先进的 激励 块 flash 记忆 设备 读, 程序 和 擦掉 在-系统 通过 这 local
cpu 或者 微控制器. 所有 总线 循环 至 或者 从 这 flash 记忆 遵从 至 标准 微观的-
控制 总线 循环. 四 控制 管脚 dictate 这 数据 流动 在 和 输出 的 这 flash 组件:
ce#, oe#, we# 和 rp#. 这些 总线 行动 是 summarized 在Table3.
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