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进步 产品 数据手册
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注释:
1/ 核实 在 包装 水平的 rf 测试.
2
/ 包装 rf 测试 偏差: vd=5 v, 调整 vg1 至达到 id=65 毫安 然后 调整 vg2 至 达到
id=200ma, vctrl=+0.2 v
3
/ 核实 用 设计, smt 聚集 面向 一个 demonstration 板 详细地 在 薄板 6.
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/ vin=250mv, 数据 比率 = 10.7gb/s, vd1=vd2t 或者 更好, vctrl2 和 vg2 是 调整 为 最大 output.
5
/ 计算 使用 rss 方法 在哪里 jrms_additive = sqrt(jrms_输出
2
- jrms_在
2
)
6
/ 核实 在 消逝 水平的 在-薄脆饼 探查.
7
/ 电源 偏差 消逝 探查: vtee=8 v, 调整 vg 至 达到 id=175 ma+/-5%, vctrl=1.5 v
便条: 在 这 消逝 水平的, 流 偏差 是 应用 thru 这 rf 输出 端口 使用 一个 偏差 tee, 电压
是 在 这 直流 输入 至 这 偏差 tee.
TGA4953EPU
便条: 设备 designated 作 epu 是 典型地 early 在 它们的 描绘 处理 较早的 至 finalizing 所有 电的 和 process
规格. 规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
rf 规格
(持续)