TAS5182
SLES045E-六月 2002-修订 将 2004
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3
电的 特性
T
C
= 25
°
c, dv
DD
= 3.3 v, gv
DD
= 12 v, 频率 = 384 khz
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输入 terminals: am, ap, bm, bp, cm, cp, dm, dp
V
IH
高 输入 电压 2 V
V
IL
低 输入 电压 0.8 V
R
I
输入 阻抗 50 k
Ω
R
dtp
dead 时间 电阻 范围 0 100 k
Ω
输入 终端: 重置_x
V
ih(重置)
高 输入 电压 2 V
V
il(重置)
低 输入 电压 0.8 V
门 驱动 输出: ghs_一个, ghs_b, ghs_c, ghs_d, gls_a, gls_b, gls_c, gls_d
I
oso
源 电流, 顶峰 V
O
= 2 v -1.2 一个
I
osi
下沉 电流, 顶峰 V
O
= 8 v 1.6 一个
bst 二极管
V
d
向前 电流 电压 漏出 I
d
= 100 毫安 2 V
供应 电流
I
DVDD
运行 供应 电流 非 加载 在 门 驱动 输出 3 毫安
I
DVDDQ
安静的 供应 电流 非 切换 3 毫安
I
GVDD
运行 供应 电流 非 加载 在 门 驱动 输出 15 毫安
I
GVDDQ
安静的 供应 电流 非 切换 2 毫安
电压 保护
V
uvp,g
欠压 保护 限制, gv
DD
8.3 V
切换 特性
T
C
= 25
°
c, dv
DD
= 3.3 v, gv
DD
= 12 v
参数 测试 情况 最小值 NOM 最大值 单位
定时, 输出 terminals
f
运算
运行 频率 1500 kHz
t
pd(如果-o)
积极的 输入 下落 至 ghs_x 下落 C
L
= 1 nf 45 ns
t
pd(ir-o)
积极的 输入 rising 至 gls_x 下落 C
L
= 1 nf 45 ns
t
dtp
dead 时间 程序编制 范围
(1)
R
dfp
= 100 k
Ω
110 ns
t
r(gd)
上升 时间, 门 驱动 输出 (0.5 至 3 v) C
L
= 1 nf 4.5 ns
t
f(gd)
下降 时间, 门 驱动 输出 (9 至 3 v) C
L
= 1 nf 7 ns
定时, 保护, 和 控制
t
pd(r-sd)
延迟,重置低 至 关闭高 40 ns
t
pd(r-lh)
延迟,重置低 至 gls_x 高 44 ns
t
pd(r-运算)
延迟,重置高 至 运作 状态 50 ns
t
pd(e-l)
延迟,错误 事件 至 所有 门 低 180 ns
t
pd(e-sd)
延迟,错误 事件 至 关闭低 170 ns
(1)
Dead时间 程序编制 定义: 可调整的 延迟 从 ap (bp, cp, 或者 dp) rising 边缘 至 ghs_a (ghs_b, ghs_c, 或者 ghs_d) rising 边缘,
和 am (bm, cm, 或者 dm) rising 边缘 至 gls_一个 (gls_b, gls_c, 或者 gls_d) rising edge.