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2002 微芯 技术 公司 ds21355b-页 9
TC110
图示 4-1: 100kHz BOOTSTRAPPED 调整器 和 软 开始 使用
一个 双极 晶体管
图示 4-2: 300kHz bootstrapped, n-频道 晶体管
图示 4-3: 300kHz 非-bootstrapped, n-频道 晶体管
TC110301
C
在
10
µ
f/16v
V
在
EXT
V
输出
V
输出
D1
Matsushita
MA737
123
4
5
Q1
FZT690BCT
RB
1K
CB
10nF
陶瓷的
L1
47
µ
H
sumida cd75
C
输出
47
µ
f, 10v
tant.
关闭
(optional)
R
SS
470K
C
SS
0.1
µ
F
陶瓷的
TC110301
地
V
DD
shdn/ss
12 3
4
5
C
在
10
µ
f/16v
V
在
EXT
V
输出
V
输出
D1
在 半导体
MBR0520L
Q1
Silconix
Si9410DY
L1
22
µ
H
sumida cd54
C
输出
47
µ
f, 16v
tant.
地
V
DD
shdn/ss
TC110303
12 3
4
5
C
在
10
µ
f/16v
V
在
EXT
V
输出
V
输出
D1
在 半导体
MBR0520L
Q1
Silconix
Si9410DY
L1
22
µ
H
sumida cd54
C
输出
47
µ
f, 16v
tant.
地
V
DD
shdn/ss
TC110303

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 2002 微芯技术公司 ds21355b-页 9 TC110 图示 4-1: 100kHz BOOTSTRAPPED 调整器和软开始使用一个双极晶体管图示 4-2: 300kHz bootstrapped, n-频道晶体管图示 4-3: 300kHz 非-bootstrapped, n-频道晶体管 TC110301 C 在 10 µ f/16v V 在 EXT V 输出 V 输出 D1 Matsushita MA737 123 4 5 Q1 FZT690BCT RB 1K CB 10nF 陶瓷的 L1 47 µ H sumida cd75 C 输出 47 µ f, 10v tant. 关闭 (optional) R SS 470K C SS 0.1 µ F 陶瓷的 TC110301 地 V DD shdn/ss 12 3 4 5 C 在 10 µ f/16v V 在 EXT V 输出 V 输出 D1 在半导体 MBR0520L Q1 Silconix Si9410DY L1 22 µ H sumida cd54 C 输出 47 µ f, 16v tant. 地 V DD shdn/ss TC110303 12 3 4 5 C 在 10 µ f/16v V 在 EXT V 输出 V 输出 D1 在半导体 MBR0520L Q1 Silconix Si9410DY L1 22 µ H sumida cd54 C 输出 47 µ f, 16v tant. 地 V DD shdn/ss TC110303

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