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3a 双 高-速 电源 场效应晶体管 驱动器
TC4423
TC4424
TC4425
tc4423/4/5-6   10/21/96
© 2001 微芯 技术 公司     ds21421a
典型 特性
4681012
14 16 18
V
DD
2200 pf
100 1000 10,000
c           (pf)
加载
5V
10V
15V
t
上升
(nsec)
100
80
60
40
20
0
100
80
60
40
20
0
100 1000 10,000
5V
10V
15V
100
80
60
40
20
0
C
加载 (pf)
1000 pf
3300 pf
1500 pf
上升 时间 vs. 电容的 加载
上升 时间 vs. 供应 电压
下降 时间 vs. 电容的 加载
时间 (nsec)
上升 和 下降 时间 vs. 温度
T
一个
(
°
c)
传播 延迟 vs. 输入 振幅
32
30
28
26
24
22
20
18
–55 –35 5 25 45 65 85 105 125–15
100
80
60
40
20
延迟 时间 (nsec)
输入 (v)
v      = 10v
DD
c           = 2200 pf
加载
t
上升
t
下降
t
上升
c           = 2200 pf
加载
0123456789101112
t
D2
t
D1
t
下降
t
下降
(nsec)
4681012
14 16 18
下降 时间 vs. 供应 电压
100
80
60
40
20
0
V
DD
1000 pf
1500 pf
4700 pf
470 pf
4700 pf
3300 pf
2200 pf
470 pf
t
下降
(nsec)
t
上升
(nsec)

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4 3a 双高-速电源场效应晶体管驱动器 TC4423 TC4424 TC4425 tc4423/4/5-6 10/21/96 © 2001 微芯技术公司 ds21421a 典型特性 4681012 14 16 18 V DD 2200 pf 100 1000 10,000 c (pf) 加载 5V 10V 15V t 上升 (nsec) 100 80 60 40 20 0 100 80 60 40 20 0 100 1000 10,000 5V 10V 15V 100 80 60 40 20 0 C 加载 (pf) 1000 pf 3300 pf 1500 pf 上升时间 vs. 电容的加载上升时间 vs. 供应电压下降时间 vs. 电容的加载时间 (nsec) 上升和下降时间 vs. 温度 T 一个 ( ° c) 传播延迟 vs. 输入振幅 32 30 28 26 24 22 20 18 –55 –35 5 25 45 65 85 105 125–15 100 80 60 40 20 延迟时间 (nsec) 输入 (v) v = 10v DD c = 2200 pf 加载 t 上升 t 下降 t 上升 c = 2200 pf 加载 0123456789101112 t D2 t D1 t 下降 t 下降 (nsec) 4681012 14 16 18 下降时间 vs. 供应电压 100 80 60 40 20 0 V DD 1000 pf 1500 pf 4700 pf 470 pf 4700 pf 3300 pf 2200 pf 470 pf t 下降 (nsec) t 上升 (nsec)

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