2002 微芯 技术 公司 ds21415b-页 3
tc426/tc427/tc428
1.0 电的
特性
绝对 最大 ratings*
供应 电压..................................................... +20V
输入 电压, 任何 终端
................................... V
DD
+ 0.3v 至 地
–
0.3v
电源 消耗 (t
一个
≤
70
°
c)
PDIP ........................................................ 730mW
CERDIP ................................................... 800mW
SOIC........................................................ 470mW
减额 因素
PDIP ....................................................... 8mw/
°
C
CERDIP ............................................... 6.4mw/
°
C
SOIC....................................................... 4mw/
°
C
运行 温度 范围
c 版本 .........................................0
°
c 至 +70
°
C
i 版本....................................... -25
°
c 至 +85
°
C
e 版本 ..................................... -40
°
c 至 +85
°
C
m 版本................................... -55
°
c 至 +125
°
C
存储 温度 范围 ............. -65
°
c 至 +150
°
C
*stresses 在之上 那些 列表 下面 "绝对 最大
比率" 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些
是 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备
在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这
运作 sections 的 这 规格 是 不 暗指.
暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为
扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
tc426/tc427/tc428 电的 规格
电的 特性:
T
一个
= +25
°
c 和 4.5v
≤
V
DD
≤
18v, 除非 否则 指出.
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
输入
V
IH
逻辑 1, 高 输入 电压 2.4
——
V
V
IL
逻辑 0, 低 输入 电压
——
0.8 V
I
在
输入 电流 -1
—
1
µ
A0V
≤
V
在
≤
V
DD
输出
V
OH
高 输出 电压 V
DD
–
0.025
——
V
V
OL
低 输出 电压
——
0.025 V
R
OH
高 输出 阻抗
—
10 15
Ω
I
输出
= 10ma, v
DD
= 18v
R
OL
低 输出 阻抗
—
610
Ω
I
输出
= 10ma, v
DD
= 18v
I
PK
顶峰 输出 电流
—
1.5
—
一个
切换 时间
(便条 1)
t
R
上升 时间
——
30 nsec 图示 3-1, 图示 3-2
t
F
下降 时间
——
30 nsec 图示 3-1, 图示 3-2
t
D1
延迟 时间
——
50 nsec 图示 3-1, 图示 3-2
t
D2
延迟 时间
——
75 nsec 图示 3-1, 图示 3-2
电源 供应
I
S
电源 供应 电流
—
—
—
—
8
0.4
毫安 V
在
= 3v (两个都 输入)
V
在
= 0v (两个都 输入)
便条 1:
切换 时间 保证 用 设计.