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资料编号:640934
 
资料名称:TC4422CPA
 
文件大小: 78.15K
   
说明
 
介绍:
9A HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS
 
 


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tc4421/tc4422
ds21420b-页 6
2002 微芯 技术 公司
4.0 典型 特性
便条:
这 graphs 和 tables 提供 下列的 这个 便条 是 一个 statistical summary 为基础 在 一个 限制 号码 的
样本 和 是 提供 为 informational 目的 仅有的. 这 效能 特性 列表 在此处 是
不 测试 或者 有保证的. 在 一些 graphs 或者 tables, 这 数据 提交 将 是 外部 这 指定
运行 范围 (e.g., 外部 指定 电源 供应 范围) 和 因此 外部 这 warranted 范围.
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
4681012
14 16 18
上升 时间 vs. 供应 电压
1000pF
4700pF
10,000pf
22,000pf
t
上升
(nsec)
V
DD
(v)
t
上升
(nsec)
5V
15V
300
250
200
150
100
50
0
上升 时间 vs. 电容的 加载
100 1000 10,000 100,000
10V
C
加载
(pf)
90
上升 和 下降 时间 vs. 温度
60
40
30
70
50
80
-40 0 40 80 120
时间 (nsec)
T
一个
(
°
c)
C
加载
= 10,000pf
V
DD
= 15v
t
下降
t
上升
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
4 6 8 1012141618
下降 时间 vs. 供应 电压
1000pF
4700pF
10,000pf
22,000pf
t
下降
(nsec)
V
DD
(v)
t
下降
(nsec)
300
250
200
150
100
50
0
下降 时间 vs. 电容的 加载
100 1000 10,000
5V
10V
15V
100,000
C
加载
(pf)
50
810121416184
时间 (nsec)
传播 延迟 vs. 供应 电压
45
40
35
30
25
6
V
DD
(v)
C
加载
= 1000pf
t
D1
t
D2
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