TC623
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2002 微芯 技术 公司
1.0 电的
特性
绝对 最大 Ratings*
供应 电压 ......................................................5.5v
输入 电压 任何 输入 .. (地 – 0.3v) 至 (v
DD
+0.3v)
包装 电源 消耗 (t
一个
≤
70°c)
塑料 插件.............................................730mW
soic......................................................470mW
减额 Factors
塑料 插件 ............................................8mw/°c
SOIC .....................................................6mw/°c
运行 温度
V 版本 .................................-40°c 至 +125°C
E 版本 ...................................-40°c 至 +85°C
C 版本 ...................................... 0°C 至 +70°C
存储 温度..........................-65°c 至 +150°C
*Stresses 在之上 那些 列表 下面 "绝对 最大 rat-
ings" 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是
压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备 在
这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这
运作 sections 的 这 规格 是 不 暗指. expo-
确信 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展
时期 将 影响 设备 可靠性.
TC623 电的 规格
电的 特性:
在 运行 温度 范围, V
DD
= 2.7v 至 4.5v, 除非 否则 指定.
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
V
DD
供应 电压 范围 2.7 — 4.5 V
I
DD
供应 电流 — 150 250
µ
a2.7v
≤
V
DD
≤
4.5v
T
设置
绝对 精度 T - 3 T ±1 T + 3 °C T = 编写程序 温度
V
OH
输出 电压 高 0.9 x V
DD
0.8 x V
DD
—
—
—
—
V
V
I
OH
=250
µ
一个
I
OH
=500
µ
一个
V
OL
输出 电压 低 —
—
—
—
0.1 x V
DD
0.2 x V
DD
V
V
I
OL
=500
µ
一个
I
OL
=1mA
HYS Hysteresis — — -2 °C 下落 温度
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