TC7129
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2002 微芯 技术 公司
图示 3-1: 标准 电路
3.3 Integrating 电容 (c
INT
)
这 承担 贮存 在 这 integrating 电容 在
这 合并 阶段 是 直接地 均衡的 至 这 输入
电压. 这 primary 选择 标准 为 C
INT
是 至
choose 一个 值 那 给 这 最高的 电压 摆动
当 remaining 在里面 这 高 线性 portion 的 这
积分器 输出 范围. 一个 积分器 摆动 的 2V 是 这
推荐 值. 这 电容 值 能 是
计算 使用 这 下列的 等式:
等式 3-3:
使用 这 值 获得 在之上 (假设 60Hz
运作), 这 等式 变为:
等式 3-4:
这 电容 应当 有 低 dielectric absorption 至
确保 好的 integration 线性. Polypropylene 和
Teflon 电容 是 通常地 合适的. 一个 好的 mea-
surement 的 这 dielectric absorption 是 至 连接 这
涉及 电容 横过 这 输入 用 连接:
管脚 至 管脚:
20
→
33 (c
REF
+toinhi)
30
→
32 (c
REF
-toinlo)
一个 读 在 10,000 和 9998 是 可接受的;
anything 更小的 indicates unacceptably 高 dielectric
absorption.
3.4 涉及 电容 (c
REF
)
这 涉及 电容 stores 这 涉及 电压
在 一些 阶段 的 这 度量 循环. 低
泄漏 是 这 primary 选择 标准 为 这个 com-
ponent. 这 值 必须 是 高 足够的 至 补偿 这
效应 的 偏离 电容 在 这 电容 terminals. 一个
valueofatleast1
µ
F 是 推荐.
1234567
8
9
1011
12
13141516171819
20
40
39
3837
36
3534
33
323130
29
28
27262524232221
9V
+
低 电池 continuity
V+
5pF
120
kHz
10pF
0.1
µ
F
20
k
Ω
0.1
µ
F
100k
Ω
C
INT
0.1
µ
F
V+
V
在
–
+
330k
Ω
结晶
R
O
C
O2
C
RF
D
REF
R
REF
C
如果
R
如果
C
REF
+
1
µ
F
10k
Ω
R
偏差
150k
Ω
R
INT
OSC1
OSC3
ANNUNC
V
DISP
DP
4
/或者
显示 驱动 输出
DP
3
/ur
获得/
支撑
v-
V+
int 在
int 输出
CONTINUITY
一般
C
REF
+
C
REF
-
BUFF
在 lo
在 hi
ref hi
ref lo
DGND
范围
DP
2
DP
1
OSC2
TC7129
C
O1
C
INT
=
t
INT
xI
INT
V
摆动
在哪里 t
INT
是 这 integration 时间.
C
INT
==0.1
µ
一个
16.7msec x 13.3
µ
一个
2V
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