2002 微芯 技术 公司 ds21475b-页 9
TC818A
图示 3-2: 比率计 阻抗 度量 函数的 图解
图示 3-3: 阻抗 度量 精度 设置 用 外部
标准 电阻
缓存区
TC818A
r6/100k
Ω
32
S19DES20
V
CC
-2.6v
1.5k
Ω
V
CC
低 ohms
HI
Ohms
VA
S29
S30
S31
S32
S33
÷
1
÷
10
÷
100
÷
1k
÷
10k
S28S27S26S25S24
de s23
电压
涉及
39
38
37
36
35
÷
1
÷
10
÷
100
÷
1k
÷
10k
积分器 比较器
S37
S35
5554
R
Ω
BUF
S12
S13
DE
S18
S21
DE
INT
•
( + 直流)
33
C
REF
0.1µf
r7/100k
Ω
31
相似物
一般
29
34
28
10k
57
V
SS
9V
R18
24k
Ω
5k
Ω
REFHI
220k
49
0.1µf
150k
Ω
RVIBUF
47
C
INT
0.1µf
S36
S34
R
X
Unknown
R8
220
Ω
(ptc)
V
•
1
1
r5/1638500
r4/163850
r3/16385
r2/1638.5
r1/163.85
Ω
Ω
de +
Ω
•
LO
C
AZ
≈
V
CC
-2.8v
V
CC
+
~
1.5k
Ω
~
•
•
•
DE
•
•
•
50
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
ΩΩ
Ω
ΩΩ
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
+
–
例子: 200k
Ω
全部 规模 度量
V
R
163.85k
Ω
163.85 220 R
X
++
-------------------------------------------------
x0.64=
(一个 )
(b)
V
X
R
X
163.85k
Ω
220
Ω
R
X
++
--------------------------------------------------------------
x0.64=
(c) “Ramp 向上 Voltage” = “Ramp 向下 Voltage”
V
X
R
I
C
I
()
---------------- x T
I
V
X
R
I
C
I
()
---------------- T
DE
=
.
..
在哪里:
R
I
= Integrating 电阻, T
I
= 合并 时间
C
I
= Integrating 电容, T
DE =
de-合并 时间
(d) R
X
= 163.85
T
I
(t
DE
)
独立 的 R
I
,c
I
或者 内部的 电压 涉及
163.85k
Ω
C
REF
220
R
X
Unknown
至 相似物 缓存区
100k
Ω
va =
0.64v 为 ohms
0.32v 为 lo ohms
+
Ω
R
S
V
R
V
X
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