TC850
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2002 微芯 技术 公司
T
CE
碎片-使能 进入 时间 — 230 450 nsec CS 或者 CE,rd=低(note1)
T
RE
读-使能 进入 时间 — 190 450 nsec CS = 高, CE =低,(note1)
T
DHC
数据 支撑 从 CS 或者 CE —250450nsecRD=低,(note1)
T
DHR
数据 支撑 从 RD —210450nseccs=高,ce=低,(note1)
T
运算
ovr/pol 数据 进入 时间 — 140 300 nsec CS = 高, CE =低,
RD
=低,(note1)
T
LH
低/高 字节 进入 时间 — 140 300 nsec CS = 高, CE =低,
RD = 低, (便条 1)
时钟 建制 时间 100 — — nsec 积极的 或者 负的 脉冲波 宽度
T
WRE
RD 最小 脉冲波 宽度 450 230 — nsec CS = 高, CE =低,(note2)
T
WRD
RD 最小 延迟 时间 150 50 — nsec CS = 高, CE =低,(note2)
T
WWD
WR 最小 脉冲波 宽度 75 25 — nsec CS = 高, CE =低,(note1)
TC850 电的 规格 (持续)
电的 特性:
V
S
=±5v;f
CLK
= 61.44khz, V
FS
= 3.2768v, T
一个
= 25°c, 图示 1-1, 除非 否则 指定.
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
便条 1:
要求 模式, 内容/要求
= 低. 图示 8-5 定时 图解. C
L
= 100pf.
2:
持续的 模式, 内容/要求
= 高. 图示 8-7 定时 图解.
3:
数字的 输入 有 CMOS 逻辑 水平 和 内部的 拉-向上/拉-向下 电阻器. 为 TTL 兼容性, 外部 拉-向上
电阻器 至 V
DD
是 推荐.
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