2002 微芯 技术 公司 ds21479b-页 5
TC850
图示 1-1: 标准 测试 电路 配置
V
DD
V
SS
16
8
9
10
11
12
13
14
15
1
2
3
4
5
6
7
17
TC850
0.01
µ
f 输入
+1.6384v
+0.0256v
100M
Ω
120Mk
Ω
1
µ
F
*
1
µ
F
*
0.1
µ
F
0.1
µ
F
0.1
µ
F
0.1
µ
F
0.1
µ
F
0.1
µ
F
缓存区
OSC
1
OSC
2
INT
在
INT
输出
C
INTB
C
BUFA
C
BUFB
C
INTA
R
INT
C
INT
竞赛
测试
NC
18
21
28 2729
26
19
23
24
25
35
34
37
38
36
33
39
30
31
61.44 khz
20
2240
-5v
+5V
DGND
32
**
**
注释:
除非 否则 指定, 所有 0.1
µ
f 电容 是 影片 dielectric.
陶瓷的 电容 是 不 推荐.
nc = 非 连接
*polypropylene 电容.
** 100pf mica 电容.
DB0
DB1
DB2
DB3
DB4
DB5
DB6
DB7
BUSY
CS
CE
WR
RD
内容/要求
ovr/pol
l/h
在-
IN+
ref-
相似物 一般
REF
1
+
REF
2
+
C
REF1
+
C
REF1
-
C
REF2
-
C
REF2
+