4N35GV_集成电路资料查询网

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4N25 4N26 4N27 4N28 4N35 4N36
4N37 H11A1 H11A2 h11a3 h11a4 H11A5
一般 目的 6-管脚
phototransistor optocouplers
页 14 的 15
© 2003 仙童 半导体 公司
reﬂow proﬁle (白 包装, -m sufﬁx)
reﬂow proﬁle (黑色 包装, 非 sufﬁx)
ramp 向上 = 2
–
10
°
c/秒
•
顶峰 软熔焊接 温度: 245
°
c (包装 表面 温度)
•
时间 的 温度 高等级的 比 183
°
c 为 120
–
180 秒
•
一个 时间 焊接 软熔焊接 是 推荐
230
°
c, 10
–
30 s
时间 (分钟)
0
300
250
200
150
100
50
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
温度 (
°
c)
时间 在之上 183
°
c, 120
–
180 秒
245
°
c 顶峰
•
顶峰 软熔焊接 温度: 225
°
c (包装 表面 温度)
•
时间 的 温度 高等级的 比 183
°
c 为 60
–
150 秒
•
一个 时间 焊接 软熔焊接 是 推荐
215
°
c, 10
–
30 s
225
c 顶峰
时间 (分钟)
0
300
250
200
150
100
50
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
温度 (
°
c)
时间 在之上 183
°
c, 60
–
150 秒
ramp 向上 = 3
c/秒

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5/7/03 4N25 4N26 4N27 4N28 4N35 4N36 4N37 H11A1 H11A2 h11a3 h11a4 H11A5 一般目的 6-管脚 phototransistor optocouplers 页 14 的 15 © 2003 仙童半导体公司 reﬂow proﬁle (白包装, -m sufﬁx) reﬂow proﬁle (黑色包装, 非 sufﬁx) ramp 向上 = 2 – 10 ° c/秒 • 顶峰软熔焊接温度: 245 ° c (包装表面温度) • 时间的温度高等级的比 183 ° c 为 120 – 180 秒 • 一个时间焊接软熔焊接是推荐 230 ° c, 10 – 30 s 时间 (分钟) 0 300 250 200 150 100 50 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 温度 ( ° c) 时间在之上 183 ° c, 120 – 180 秒 245 ° c 顶峰 • 顶峰软熔焊接温度: 225 ° c (包装表面温度) • 时间的温度高等级的比 183 ° c 为 60 – 150 秒 • 一个时间焊接软熔焊接是推荐 215 ° c, 10 – 30 s 225 c 顶峰时间 (分钟) 0 300 250 200 150 100 50 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 温度 ( ° c) 时间在之上 183 ° c, 60 – 150 秒 ramp 向上 = 3 c/秒

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