tcdt1120(g) 序列
vishay telefunken
rev. a3, 11–jan–99 229
t
p
t
t
0
0
10%
90%
100%
t
r
t
d
t
在
t
s
t
f
t
止
I
F
I
C
96 11698
t
p
脉冲波 dura-
tion
t
d
延迟 时间
t
r
上升 时间
t
在
(= t
d
+ t
r
) 转变-在 时间
t
s
存储 时间
t
f
下降 时间
t
止
(= t
s
+ t
f
) 转变-止 时间
图示 5. 切换 时间
典型 特性
(t
amb
= 25
_
c, 除非 否则 指定)
0
50
100
150
200
250
300
0 40 80 120
p – 总的 电源 消耗 ( mw )
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c)
96 11700
tot
结合 设备
Phototransistor
ir-二极管
图示 6. 总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
– 向前 电压 ( v )
96 11862
F
i – 向前 电流 ( 毫安 )
图示 7. 向前 电流 vs. 向前 电压