tcet120.(g) 向上 至 tcet2200
Vishay
半导体
www.vishay.com
2 (12)
文档 号码 83501
rev. a2, 08–feb–01
顺序 操作指南
订货 代号 ctr ranking Remarks
tcet1200/ tcet1200g
1)
50 至 600% 4 管脚 = 单独的 频道
tcet1201/ tcet1201g
1)
40 至 80% 4 管脚 = 单独的 频道
tcet1202/ tcet1202g
1)
63 至 125% 4 管脚 = 单独的 频道
tcet1203/ tcet1203g
1)
100 至 200% 4 管脚 = 单独的 频道
tcet1204/ tcet1204g
1)
160 至 320% 4 管脚 = 单独的 频道
TCET2200 50 至 600% 8 管脚 = 双 频道
1)
g = leadform 10.16 mm; g 是 不 marked 在 这 身体
特性
approvals (是 应用):
D
BSI
: bs en 41003, bs en 60095 (bs 415),
bs en 60950 (bs 7002),
certificate 号码 7081 和 7402
D
FIMKO
(seti): en 60950,
certificate 号码 202117
D
U
nderwriters
L
aboratory (ul) 1577 公认的,
文件 号码 e-76222 – 翻倍 保护
D
CSA
(c-ul) 1577 公认的
文件 号码 e- 76222 - 翻倍 保护
D
VDE
0884, certificate 号码 115667
vde 0884 related 特性:
D
评估 impulse 电压 (瞬时 超（电）压)
V
IOTM
= 8 kv 顶峰
D
分开 测试 电压
(partial 释放 测试 电压) v
pd
= 1.6 kv
D
评估 分开 电压 (rms 包含 直流)
V
IOWM
= 600 v
RMS
(848 v 顶峰)
D
评估 recurring 顶峰 电压 (repetitive)
V
IORM
= 600 v
RMS
D
creepage 电流 阻抗 符合 至
vde 0303/iec 112
C
omparative
T
racking
I
ndex:
CTI
≥
175
D
厚度 通过 绝缘
≥
0.75 mm
D
内部的 creepage 距离 > 4 mm
一般 特性:
D
ctr offered 在 5 groups
D
分开 材料 符合 至 ul94-vo
D
pollution 程度 2
(din/vde 0110 / resp. iec 664)
D
climatic 分类 55/100/21 (iec 68 部分 1)
D
特定的 构建:
因此, extra 低 连接 capacity 的
典型 0.2 pf, 高
C
ommon
M
ode
R
ejection
D
低 温度 系数 的 ctr
D
g = leadform 10.16 mm;
提供 creepage 距离 > 8 mm,
为 tcet2200 optional; 后缀 letter ‘g’ 是 不
marked 在 这 optocoupler
D
连接 系统 u
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