tcet120.(g) 向上 至 tcet2200
Vishay
半导体
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文档 号码 83501
rev. a2, 08–feb–01
电的 特性
(t
amb
= 25
°
c)
输入 (发射级)
参数 测试 情况 标识 最小值 典型值 最大值 单位
向前 电压 I
F
=
±
50 毫安 V
F
1.25 1.6 V
接合面 电容 V
R
= 0 v, f = 1 mhz C
j
50 pF
输出 (探测器)
参数 测试 情况 标识 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 发射级 电压 I
C
= 1 毫安 V
CEO
70 V
发射级 集电级 电压 I
E
= 100
m
一个 V
ECO
7 V
集电级 发射级 截-止
电流
V
CE
= 20 v, i
f
= 0, e = 0 I
CEO
10 100 nA
Coupler
参数 测试 情况 标识 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 发射级
饱和 电压
I
F
= 10 毫安, i
C
= 1 毫安 V
CEsat
0.3 V
截-止 频率 V
CE
= 5 v, i
F
= 10 毫安,
R
L
= 100
W
f
c
110 kHz
连接 电容 f = 1 mhz C
k
0.3 pF
电流 转移 比率 (ctr)
参数 测试 情况 类型 标识 最小值 典型值 最大值 单位
I
C
/i
F
V
CE
= 5 v, i
F
= 5 毫安 tcet1200(g)/
TCET2200
CTR 0.50 6.0
V
CE
= 5 v, i
F
= 10 毫安 tcet1201(g) CTR 0.40 0.8
CE F
tcet1202(g) CTR 0.63 1.25
tcet1203(g) CTR 1.0 2.0
tcet1204(g) CTR 1.6 3.2