8/9/00 200046a
h11d1, h11d2, h11d3, h11d4, 4n38
高 电压
phototransistor optocouplers
注释
* 参数 满足 或者 超过 电子元件工业联合会 注册 数据 (为 4n38 仅有的)
** 所有 典型 值 在 t
一个
= 25
°
C
电的 特性
(t
一个
= 25
°
C
除非 否则 指定.)
典型的 测试 情况 标识 设备 最小值 Typ** 最大值 单位
发射级
(i
F
= 10 毫安) V
F
所有 1.15 1.5 V
*forward 电压
向前 电压 温度
!
V
F
所有 -1.8 mv/
°
C
系数
!
T
一个
反转 损坏 电压 (i
R
= 10 µa) BV
R
所有 6 25 V
接合面 电容
(v
F
= 0 v, f = 1 mhz)
C
J
所有 50 pF
(v
F
= 1 v, f = 1 mhz) 所有 65 pF
*reverse 泄漏 电流 (v
R
= 6 v) I
R
所有 0.05 10 µA
探测器
(r
是
= 1 m
"
)
BV
CER
h11d1/2 300
*breakdown 电压 (i
C
= 1.0 毫安, i
F
= 0) h11d3/4 200
集电级 至 发射级 (非 r
是
) (i
C
= 1.0 毫安) BV
CEO
4N38 80
h11d1/2 300
V
*collector 至 根基 (i
C
= 100 µa, i
F
= 0) BV
CBO
h11d3/4 200
4N38 80
发射级 至 根基
(i
E
= 100 µa , i
F
= 0)
BV
EBO
4N38 7
发射级 至 集电级 BV
ECO
所有 7 10
(v
CE
= 200 v, i
F
= 0, t
一个
= 25
°
c)
h11d1/2
100 nA
*leakage 电流 (v
CE
= 200 v, i
F
= 0, t
一个
= 100
°
c)
I
CER
250 µA
集电级 至 发射级 (v
CE
= 100 v, i
F
= 0, t
一个
= 25
°
c)
h11d3/4
100 nA
(r
是
= 1 m
"
)(v
CE
= 100 v, i
F
= 0, t
一个
= 100
°
c) 250 µA
(非 r
是
) (v
CE
= 60 v, i
F
= 0, t
一个
= 25
°
c) I
CEO
4N38 50 nA
单独的 组件 特性
参数 标识 值 单位
探测器
300 mW
*power 消耗 @ t
一个
= 25
°
CP
D
减额 成直线地 在之上 25
°
C 4.0 mw/
°
C
h11d1 - h11d2 300
*collector 至 发射级 电压 h11d3 - h11d4 V
CER
200
4N38 80
h11d1 - h11d2 300
V
*collector 根基 电压 h11d3 - h11d4 V
CBO
200
4N38 80
*emitter 至 集电级 电压
h11d1 - h11d2
V
ECO
7
h11d3 - h11d4
集电级 电流 (持续的) 100 毫安
绝对 最大 比率
(内容.)
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