TCMT1600_集成电路资料查询网

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4
文档 号码 83512
rev. 1.5, 02-二月-05
tcmt1600 / tcmt4600
vishay 半导体
典型 characteristics (tamb = 25
°
c 除非 否则 指定)
图示 4. 总的 电源 消耗 vs. 包围的 温度
图示 5. 向前 电流 vs. 向前 电压
图示 6. 相关的 电流 转移 比率 vs. 包围的
温度
0
50
100
150
200
250
300
0 40 80 120
P –Total 电源 消耗 ( mW)
T
amb
– 包围的 温度( °C )
96 11700
tot
结合 设备
Phototransistor
ir-二极管
0.1
1
10
100
1000
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 向前 Voltage(v)
96 11862
F
I - 向前 电流 ( 毫安 )
–25 0 25 50
0
0.5
1.0
1.5
2.0
CTR – 相关的 电流 转移 比率
rel
T
amb
– 包围的 温度 ( °C )
95 11025
75
V
CE
=5V
I
F
=5mA
图示 7. 集电级 dark 电流 vs. 包围的 温度
图示 8. 集电级 电流 vs. 向前 电流
图示 9. 集电级 电流 vs. 集电级 发射级 电压
0255075
1
10
100
1000
10000
I - 集电级 Dark 电流,
CEO
T
amb
- 包围的 温度 (
°
c)
100
95 11026
和 打开 根基 ( nA )
V
CE
=20V
I
F
=0
0.1 1 10
0.01
0.1
1
100
I – 集电级 电流 ( 毫安 )
C
I
F
– 向前 电流 ( 毫安 )
100
95 11027
10
V
CE
=5V
0.1 1 10
0.1
1
10
100
V
CE
– 集电级 发射级 Voltage(v)
100
95 10985
I – 集电级 电流 ( 毫安)
C
I
F
=50mA
5mA
2mA
1mA
20mA
10mA

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www.vishay.com 4 文档号码 83512 rev. 1.5, 02-二月-05 tcmt1600 / tcmt4600 vishay 半导体典型 characteristics (tamb = 25 ° c 除非否则指定) 图示 4. 总的电源消耗 vs. 包围的温度图示 5. 向前电流 vs. 向前电压图示 6. 相关的电流转移比率 vs. 包围的温度 0 50 100 150 200 250 300 0 40 80 120 P –Total 电源消耗 ( mW) T amb – 包围的温度( °C ) 96 11700 tot 结合设备 Phototransistor ir-二极管 0.1 1 10 100 1000 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 V F - 向前 Voltage(v) 96 11862 F I - 向前电流 ( 毫安 ) –25 0 25 50 0 0.5 1.0 1.5 2.0 CTR – 相关的电流转移比率 rel T amb – 包围的温度 ( °C ) 95 11025 75 V CE =5V I F =5mA 图示 7. 集电级 dark 电流 vs. 包围的温度图示 8. 集电级电流 vs. 向前电流图示 9. 集电级电流 vs. 集电级发射级电压 0255075 1 10 100 1000 10000 I - 集电级 Dark 电流, CEO T amb - 包围的温度 ( ° c) 100 95 11026 和打开根基 ( nA ) V CE =20V I F =0 0.1 1 10 0.01 0.1 1 100 I – 集电级电流 ( 毫安 ) C I F – 向前电流 ( 毫安 ) 100 95 11027 10 V CE =5V 0.1 1 10 0.1 1 10 100 V CE – 集电级发射级 Voltage(v) 100 95 10985 I – 集电级电流 ( 毫安) C I F =50mA 5mA 2mA 1mA 20mA 10mA

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