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资料编号:643619
 
资料名称:TD350
 
文件大小: 161.01K
   
说明
 
介绍:
Advanced IGBT/MOSFET Driver
 
 


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TD350 电的 特性
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3 电的 特性
Table 4: T
amb
= -20 至 125°c, vh=16v, vl=-10v (unless 否则 specified)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输入
Vton 在 转变-在 门槛 电压 0.8 1.0 V
Vtoff 在 转变-止 门槛 电压 4.0 4.2 V
tonmin 最小 脉冲波 宽度 100 135 220 ns
Iinp 在 输入 电流 1
µ
一个
电压 涉及 - 便条
1
1) 推荐 电容 范围 在 vref 管脚 是 10nf 至 100nf.
Vref 电压 涉及
T=25
°
C
tmin<t<tmax
4.85
4.77
5.00 5.15
5.22
V
V
Iref 最大 输出 电流 10 毫安
desaturation 保护
Vdes desaturation 门槛 6.5 7.2 7.9 V
Ides 源 电流 250
µ
一个
故障 输出
tfault 延迟 为 故障 发现 500 ns
VFL 故障 低 电压 Ifsink=10mA 1 V
Clamp
Vtclamp clamp 管脚 电压 门槛 2.0 V
VCL clamp 低 电压 在 icsink=500ma
T=25
°
C
tmin<t<tmax
vl+2.5
vl+3.0
V
V
止 延迟
Vtdel 电压 门槛 2.35 2.50 2.65 V
Rdel 释放 电阻 I=1mA 500
止 水平
Iblvoff lvoff 顶峰 输入 电流 (下沉) LVOFF=12V 120 200
µ
一个
Violv 补偿 电压 LVOFF=12V -0.3 -0.15 0 V
输出
VOL1 输出 低 电压 在 iosink=20ma vl+0.35 V
VOL2 输出 低 电压 在 iosink=200ma
T=25
°
C
tmin<t<tmax
vl+1.0
vl+1.5
V
V
VOL3 输出 低 电压 在 iosink=500ma
T=25
°
C
tmin<t<tmax
vl+2.5
vl+3.0
V
V
VOH1 输出 高 电压 1 Iosource=20mA vh-2.5 V
VOH2 输出 高 电压 2 Iosource=200mA vh-3.0 V
VOH3 输出 高 电压 3 Iosource=500mA vh-4.0 V
tr 上升 时间
cl=1nf, 10% 至 90%
VL=0
vl=-10v
130
175
ns
ns
tf
下降 时间
(2 步伐 转变-止 无能)
cl=1nf, 90% 至 10%
VL=0
vl=-10v
75
90
ns
ns
tpd
输入 至 输出 传播 延迟 在
转变-在 (2 步伐 延迟 无能)
10% 输出 改变
270 800 ns
tw 输入 至 输出 脉冲波 扭曲量 10% 输出 改变 10 60 110 ns
下面 电压 lockout (uvlo)
UVLOH uvlo 顶 门槛 10 11 12 V
UVLOL uvlo bottom 门槛 9 10 11 V
Vhyst uvlo hysteresis uvh-uvl 0.5 1 V
供应 电流
Iin 安静的 电流 输出=0v, 非 加载 5 毫安
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